transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
( T; N+ t, _/ l3 L在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
6 T: u, X5 M. e2 p跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
8 U9 _! d, e2 a; P8 r* ~; Y1 _而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
, r' }) ], P# w# H9 E那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
, F: {, `3 y: H% Q* l1 z在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
, `6 R; \- P4 N內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
( ]* t# A! ~% V$ V$ E) ^* Mlupiu 發表於 2012-6-21 15:43

# e+ a9 d4 i3 V+ M9 n6 J1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
0 \& h4 Q  y2 r( a" ]. J2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
. a  J: X+ A1 X( T
4 V# U# `. x% `/ M" s原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
1 `! @" A1 |8 a" X1 q  P( Z  \
8 r4 Z1 K/ ], q6 R原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

, u/ S. J- c6 G. C    是这样的；
, ^. m+ Q0 I* X  i' T0 a: |   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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