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[問題求助] transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

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發表於 2012-6-21 15:43:29 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問各位前輩~, B$ `' q8 p# w2 b
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
  Y# M! A& W6 l/ B" l0 O" b內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)% s2 k8 c6 Q! J
跟tri-state(pad接在gate)
8 t6 ~( g6 L0 C; E# Y" F兩者,哪一個ESD的能力比較強5 `( ?9 }, g$ m& a. f
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的0 N2 F5 |# e" B9 m
那三者,又是哪一個比較強呢?
發表於 2012-6-24 16:43:57 | 顯示全部樓層
請問各位前輩~# m" z" b9 k: T, y) m" f2 ^7 k* g
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
+ H0 f9 V0 A# n9 h2 R內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
7 O5 t) j$ _! x' `! @lupiu 發表於 2012-6-21 15:43
5 V3 Z# W& x8 l1 i) V0 u1 ~: T" F
1),两者比较时,跟tri-state(pad接在gate),ESD能力较好+ `8 n. S5 p6 _
2),三者比较时,follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate),相差不多。
發表於 2012-6-26 14:58:49 | 顯示全部樓層
回復 2# andyjackcao
. i4 F0 s& q5 N5 K& \) Z; M' L$ f  A$ b+ W: F5 x4 ?  d4 }4 E
原因是什么呢?一般不是用drain的pn结去保护gate吗?那不是就隐含着认为gate的耐压比较差,所以推论下来输入接drain比接gate要好。
發表於 2012-7-9 14:51:45 | 顯示全部樓層
接drain 的比接gate的强,同意三楼的观点
發表於 2012-8-21 21:50:54 | 顯示全部樓層
回復  andyjackcao
; y; \- ?. g, G8 W! E7 f8 W9 R) K, s9 T0 r% i0 A
原因是什么呢?一般不是用drain的pn结去保护gate吗?那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...8 m1 V2 K/ N" j+ Z+ U
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58
% z4 o$ y" Z! |9 c  v0 x; h' B! j
" Q* G1 I$ g3 z  M3 U1 X
& Y1 R  T+ g& L; D# f+ m& Y
7 c& N6 @  {4 |! d% d, _8 X& ]4 i' D

& T* }. s9 z( }( u7 d5 w# v3 G    是这样的;" \" ?4 R" Q2 \9 T
   通常gate,相比pn结更容易失效;但有ESD保护器件(DIODE)时,gate端会被很好的钳位,而如果存在较小的pn结,容易承受不住较大的电流而失效
發表於 2014-9-22 22:33:31 | 顯示全部樓層
goooooooooooooooooooooooooooooooooood

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參與人數 1Chipcoin -10 收起 理由
atitizz -10 尊重分享者!請認真回覆!

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發表於 2022-9-16 11:46:57 | 顯示全部樓層
相當專業的內容,感謝大大分享心得9 b1 r7 M! d* f
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