transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
. x2 _8 I, N9 v% ~3 z+ Z$ U內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
1 F8 y; C* E4 x而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
9 X6 D  w5 c) g7 {& k' M1 J那三者，又是哪一個比較強呢?

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
6 \* \5 r7 X1 n5 {: n

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

andyjackcao

回復  andyjackcao
* t6 w  _. y4 L  ^" p1 C
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

( m7 c# {( W' _7 R



# o8 \6 ]$ v# n+ @( M& C0 B    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

gaojun927

回復 2# andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

andyjackcao

請問各位前輩~
3 q2 D# j  a! M7 Z' c7 h在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

$ i2 L$ F$ z0 T3 f5 n! P1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
; B# A' d3 [9 D8 u# P; x& q4 g3 t2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。