transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
: p0 z* L. ^; A內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
, J+ V0 u4 K- w兩者，哪一個ESD的能力比較強
7 D! r: V* S1 S* T" A2 P$ s而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
  f6 }# D8 w9 I$ D6 n內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao

- K+ ~/ ^( {) `& o5 L: l原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
+ Q1 T7 o' V& ~8 M$ f
) r' N, D+ c( ~( [$ n- j) X- s原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

2 R; j1 }" C# {( u
) P, I' j' O9 [; M  b3 m* j/ n/ e
- k5 m- l9 X  O1 J' ~5 y4 r8 j) M

: f( ^) E; @  a3 g( D    是这样的；
2 C6 _" Q/ F# ?7 t0 G   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得