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[問題求助] transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

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發表於 2012-6-21 15:43:29 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問各位前輩~
2 w( L- C4 G* {" g: _+ I7 C在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
$ P, V' Z$ x# }% X! j" P內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
& Z* T) q/ k1 w! X跟tri-state(pad接在gate)) V" n( M8 ]' ?+ v
兩者,哪一個ESD的能力比較強
$ }1 _3 x: `. \% a而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的, R! n0 V5 i$ n/ S
那三者,又是哪一個比較強呢?
發表於 2012-6-24 16:43:57 | 顯示全部樓層
請問各位前輩~+ n7 b* g" T4 D! z. G; F
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
- A$ T8 m3 Z8 ]+ O+ N$ y內部線路接transmission gate(pad會接到dr .../ E1 o9 L9 \* c7 }3 s
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

" U/ l2 T0 e$ p4 w6 u8 a1),两者比较时,跟tri-state(pad接在gate),ESD能力较好
0 \5 Z4 m2 J5 E+ z* p! H* D& }2),三者比较时,follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate),相差不多。
發表於 2012-6-26 14:58:49 | 顯示全部樓層
回復 2# andyjackcao
" r7 g8 _. N0 E$ K$ Y2 X
8 h/ R7 C' \, E; g5 j原因是什么呢?一般不是用drain的pn结去保护gate吗?那不是就隐含着认为gate的耐压比较差,所以推论下来输入接drain比接gate要好。
發表於 2012-7-9 14:51:45 | 顯示全部樓層
接drain 的比接gate的强,同意三楼的观点
發表於 2012-8-21 21:50:54 | 顯示全部樓層
回復  andyjackcao , O/ b0 W7 i7 R: O; Z  [" t

: D3 E6 T# V- e& ~! C8 p, X9 _原因是什么呢?一般不是用drain的pn结去保护gate吗?那不是就隐含着认为gate的耐压比 ..." Y3 n7 p& k1 U' V
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

+ L' |" M7 r( Q$ ~9 n( o0 V
% ]4 o: o- z: O( i
# G8 s0 V. i/ V3 W1 L0 ]
  [4 h* p, p! Z9 a
8 y4 [4 M; n% U. o/ |9 _* y    是这样的;
8 w: a: F* \: Q, |, N7 W9 h   通常gate,相比pn结更容易失效;但有ESD保护器件(DIODE)时,gate端会被很好的钳位,而如果存在较小的pn结,容易承受不住较大的电流而失效
發表於 2014-9-22 22:33:31 | 顯示全部樓層
goooooooooooooooooooooooooooooooooood

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參與人數 1Chipcoin -10 收起 理由
atitizz -10 尊重分享者!請認真回覆!

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發表於 2022-9-16 11:46:57 | 顯示全部樓層
相當專業的內容,感謝大大分享心得
5 j) V4 W9 C% c- C- c
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