transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
. G: t9 B+ n% Q  _+ i在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
$ E2 T4 T( E7 @* B. L4 f跟tri-state(pad接在gate)
4 ?) r, r0 [/ A兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
6 Z  C. p/ K3 H5 _那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
' e/ k, U4 e) D% J# a% ~在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
) A$ c7 B  p/ y/ i6 nlupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
6 T% i2 A& ]) _( w4 Q% D1 M2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
5 U! d" N8 d2 q/ Y6 D2 G3 Y) |
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
3 p' D8 d3 c# [$ U- n. A+ n
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

# [+ f1 B( Y) z$ S& ]  m' `


; x- B; P4 E' u$ G4 h8 L
& ~: m6 ]: \/ @3 k% I2 I; u    是这样的；
0 |1 \# P9 q9 L   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得