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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??
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[問題求助] corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??

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1#
發表於 2012-6-9 18:56:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???: I# K1 I6 {# C' W; N: z+ M' O
                                                                                5 }  y3 k$ ?  `
有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
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2#
發表於 2012-6-13 02:22:51 | 只看該作者
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)
% d: ?/ K/ _" U2 T" V" f. R
& |+ K, I& @5 v& J) BSS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P
) A; a! D1 M! [) |5 Q' s$ I" g( K' `8 N1 w5 Z  ?
不知道這樣說明對不對 請前輩指教
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3#
發表於 2012-6-26 10:25:27 | 只看該作者
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
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hoochie
4#
發表於 2012-8-9 23:52:23 | 只看該作者
tt ss ff sf  fs  , 前n後p ; b$ n, s) G/ ?! A, d* C6 M, f
指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
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zhifj86
5#
發表於 2012-9-20 16:58:04 | 只看該作者
工艺角，   s t f  之间一般偏差20%        。。。。。。。。。。
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6#
發表於 2012-9-27 07:41:28 | 只看該作者
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異，所以希望在各種情況都模擬嗎?
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7#
發表於 2012-9-27 09:42:23 | 只看該作者
工艺上的误差容限范围。
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8#
發表於 2012-10-9 12:47:07 | 只看該作者
学习了呵呵~~~~~~~    ！！
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Rexcchao
9#
發表於 2012-10-24 01:54:46 | 只看該作者
學到先n後p
  I$ V7 ], E6 G6 I不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
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sqnnzhu
10#
發表於 2012-10-25 07:09:26 | 只看該作者
nmos pmos# H& W4 w" `. u+ h0 z
5 p# P7 b6 o6 `* ^- P/ V" w! S+ K
slow, typical, fast
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11#
發表於 2012-12-5 03:17:00 | 只看該作者
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.
2 g8 ^2 a$ N) z# Y
: x$ |2 H  ^  f: j- EThe art of analog layout,
3 y& N4 U- \( Z. \Semiconductor Devices: Physics and Technology,
0 ]. P' j/ R, j+ u# t# M& y2 Z( f% @5 I至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
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12#
發表於 2013-4-8 22:41:31 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大
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s010191
13#
發表於 2013-7-17 20:21:44 | 只看該作者
typical-typical (TT)9 o. u% i& c) ~1 ^
fast-fast (FF). b) J9 \+ l1 K$ w" E
slow-slow (SS)
) B4 z; i& {2 x: B  @" {fast-slow (FS)+ d+ z! X  m/ B+ I3 Y  u% }+ ~& Z
slow-fast (SF)
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14#
發表於 2022-8-15 12:44:40 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大
6 V7 }" a  k) N# k: h3 Y# R) N
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