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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯 ; ]* Q7 K/ w5 U  [# |1 Z
2 q: A! h+ g7 ]( E6 w
各位先進大家好
8 q1 J7 s& {* R- Q
( X; ?6 K+ c2 b小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學. O' J6 H" K$ O# I' k4 x

, D! W! C$ y- D+ A5 w! t7 c$ F其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位9 c% [! K2 Y0 N$ A
, e- W' M5 G9 A. W
01.; R8 N( e, G7 i

0 h. X% p' g/ C; p+ |架構圖如上,我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?
+ j& R$ w, D1 i+ a( u* u$ M7 H% S% S' O! w. R0 r

8 {9 ]/ q9 c2 G8 w02.第二個疑問的地方在於電阻的部分,如下圖所示) U. t/ i+ `7 u) n# w6 D3 w! y" @1 j
# f, R6 d' n4 I- u! q

& F) ]2 `& b& `8 g2 G% r6 ]$ t) I我照著教學中的圖選用
+ z' u% l, @& ^2 n! F! g$ b' p" Y; K5 K5 b+ x/ T
TSMC_CM018RF_RES_RF
' V5 v5 a+ B. t: C8 tType=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)( Y) V# G! r8 z5 R0 n- ~* G
w=2 um
. I# M$ E- g. Z) pl=10 um" s) D! J4 C) }* L% A5 U! r6 }
R=5626.13 Ohm
2 z, A! b) B3 d$ e5 _  M' N9 q4 I
  G  U) t/ J4 q7 B但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um,不知道各位先進是否知道問題所在?0 i. e/ b7 k8 z  i

; I% t0 ^- b* J0 R" J: }8 d03.小弟目前是個研究生,全實驗室我是第一個要做RFIC的,所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits,裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機,翻了Design kits裏頭的檔案,發現居然沒有說明。
- _9 Z3 K+ |4 Y( j7 P, c) X1 O8 N8 p% X
以上是我目前的一些問題,希望能有先進可為我解惑,感謝!
; Q2 ?0 k" t* N# ^
: U8 F6 [0 T9 h$ j4 O教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!
$ T- p$ w! m, N) _! V6 p我的V8.1版,有註明
# L9 f9 G4 a9 X# u. ~3 g- Q% NType=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF
' u( r/ O, _! _* z% D' F) |" w$ Y! P最長只能用到6.8um而已。
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下,您可以調整一下,* T" @+ \) D% b% m1 j( S( N
改為W=1,L=4.77,6 U4 `/ ~# z& Q7 Q; ^
會有最接近的值R=5628.28ohm。+ E/ {4 N* [& O! i) ]5 Z
也可以的。
9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦,感謝二位回答!目前又遇到了另外一個問題
. U! [, W, Y) ]+ m. o4 H6 u0 P0 K8 }) z! i+ _& C
使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?  w; I: V0 d  L0 P
" i. q* Q/ D9 G5 S9 T
我現在的方法是跑one port的S參數,然後用Z11看虛部,但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說* o/ E+ l( V3 r) @: k( s' c

/ A/ ~8 x. g. C& ~6 @& q7 J我的公式是這樣打的:
8 Z" [. Q- h& }  \' o- mL=imag(Z11)/(2*PI*freq)
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:
  f& g( X  p1 WLin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+97 O( \. A7 G: D3 A. S6 ~
你應該還會用到Q值的計算:; w$ U7 K1 R3 i' N; |! N4 f  u
Q1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))2 j, M0 W0 e5 [: _

) e3 a4 c3 E/ p, I% `# k6 C$ z其中,因為會用到Z參數,' I( o5 V1 `; K$ i+ u$ r
記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁,
  e0 V& b# r+ e( z3 l5 g7 d把z-parematers打勾。# j% p" J# x( v
以上,就可以了。. h  g, Y/ y5 |& L6 `. }
請享用~~
11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!
2 i# i4 o: F, k& G2 b% Q3 v
: F# G* ^5 \( `# t不好意思想再請教個問題,在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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