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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 2 {3 ~3 E; n/ ?" a7 b
: x- E  X" C+ m9 a; K

! Z; s6 N! o" c: }% h; G近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
) p, c" c4 u( [& [( |7 ]* J/ a查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。8 H4 j# F. u8 R( a0 x- T
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
8 Y  K( q9 }/ U  I$ M迷惑中..... P3 O6 e8 }) U4 n( M# _8 H: k
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?
- Y+ C+ ]; S2 |0 W$ P, H# R0 y7 Q' P: v: v$ K6 K1 E, ]

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
% C. k8 I5 J5 R/ h& ~
; h& ~1 ?5 S  q* U. ^個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,  w- {! T9 }# ]* F+ L) t
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
# C3 l0 P. [0 X- e' B7 F3 E3 C有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
2 @9 J! C$ |2 R6 F% _這也是現實上要考量的. - A$ r2 p" {4 ^2 V! T

% I. z8 W( j+ s7 ~' s一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
1 I: b, F0 G" Z; ?( ^  S不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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