如何選擇ESD Device Contact Type？

CHIP321

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- G) x+ U" _( L6 e# ]0 o) J+ N1 _. A+ J近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
. P+ N7 W9 q* \& h- D) Q! ~1 M; s查找了過去的一些Bipolar高壓片，發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring，貌似應當有不錯的均勻性。
但是咨詢了一些同仁，認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
, l- O7 r4 A1 s7 o* A9 a4 a迷惑中....
1 e4 \3 p( m7 e. k$ h8 w6 K如果不考慮CMP製程限制，那種方法更有效些呢？

+ T0 y" z6 @: v& w( n

sendow

這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
8 @! X4 w( p; I6 a' C+ Q$ o
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
( y; X+ M' b: p& @有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
這也是現實上要考量的.

一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.