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[問題求助] 關於mos source/drain contact 的數量

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1#
發表於 2011-11-4 10:32:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關於analog cmos layout source/drain contact 的數量有必要全部打滿嗎?
; M- X  @1 O9 b) ^& ~有時會遇到無線可跳的情形,所以直接把 mos source/drain contact 挖掉用來走線.% e! s8 o" Y) t+ b+ C& g! U
例如 ABBA 對稱的mos 直接把中間BB的contact/metal 挖掉,然後挖掉的空間拿來直接連兩邊AA的drain 端.
7 v5 T  \- r8 V; I/ K也就是不跳Metal2 ,直接跨過BB的mos 用metal1 連接.
- D) Q% [5 ]6 E; Y. j有人會這樣做嗎? 還是全部都用metal跳線? 而不會挖掉mos source/drain contact ?
' t/ x, Y( v# s9 T2 s: J* J另外如果挖掉某部份的contact 除了造成 mos 電流走向不平均外還會有其他影響嗎?
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2#
發表於 2011-11-4 14:21:08 | 只看該作者
原則上是 能有多少 就多少
  {' h3 M! ^0 j- K有時候有些考慮 用幾層 metal  也是考慮因素; i  q3 }. v! G
ABBA 是要對稱的 ,cont 也在對稱的項目之中
3#
發表於 2011-11-18 03:11:44 | 只看該作者
1,contect 孔多可以减小接触电阻,每个孔的电阻为2-3Ω。孔越多电阻越小
* w1 o+ w: j* j' M- _/ i7 k; Q2,严格的MOS匹配,连线都要一致,不匹配的连线有可能引起1%的失配0 q: r; J* M) a: m& J  ?/ J: D4 M
3,模拟版图导线跨栅是大忌,寄生效应是我们不可预测的。
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