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[問題求助] bjt 的 layout

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發表於 2011-9-15 11:28:03 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問 PDK 中的 BJT 射極的部份
  _$ n6 x, I+ ~8 n% d+ d: D0 Q. r0 z9 i
CT 和 OD有一段距離
. J6 B0 N, f- V; |+ [! g: Q7 K3 d; P: L9 I5 M6 ?5 K) \' i
留那段距離目的是為甚麼?
 樓主| 發表於 2011-9-16 14:22:27 | 顯示全部樓層
我再補充一下問題) r3 c7 x. D" Z# G* `" H
3 Q7 v% h5 r$ J
我的意思是射極上的CT 沒有打到最滿: J0 `! g+ X" H7 M6 R/ Z

; y: I8 Q( N' I9 e* x離邊緣還可以打上3個左右
發表於 2011-9-16 22:19:53 | 顯示全部樓層
CT是哪一層layer?
, H; `0 m# t1 dNPN or PNP?
發表於 2011-9-22 09:31:08 | 顯示全部樓層
本帖最後由 CHIP321 於 2011-9-22 09:32 AM 編輯
8 l! k$ e2 P+ S% m! G: `, V6 o4 L- ?0 X. _
Cont 在CMOS兼容工艺中可能考量的不是太多,因为会在整个区域做saliside等硅化措施。但是如果要严格的说的话,cont的位置,cont的深度及结构本身是会对射级注入效率产生影响的。所以Desgin 需要遵循 DRC Rule,不能随意更改,另外你这里提到的估计应当是纵向管,接触位于射极中心,会减少射极的横向(侧边)注入,在不变更三层结结构,尺寸下,能额外提升发射极效率。很多BiCmos中会使用一个Contact来做射极连接。其他寄生还会有些利弊影响,可能不是主要考量因素。这是我暂时能想到的,供LZ参考,不当处请批判指正。
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