bjt 的 layout

ben13949

請問 PDK 中的 BJT 射極的部份

0 V5 E& o$ h) r% Q8 B1 p" p1 b* g- WCT 和 OD有一段距離
5 B5 i, l# c5 u; D& h( C
留那段距離目的是為甚麼?

ben13949

我再補充一下問題

1 D7 V% K; d6 [. w. L我的意思是射極上的CT 沒有打到最滿
1 k' H; C) P" l2 ?6 X0 I* {
3 M  j% o/ ~' P: R% L$ A: l離邊緣還可以打上3個左右

m851055

CT是哪一層layer?
* W; E3 C# i% s  gNPN or PNP?

CHIP321

  X4 {" q8 A) \  X! w
Cont 在CMOS兼容工艺中可能考量的不是太多，因为会在整个区域做saliside等硅化措施。但是如果要严格的说的话，cont的位置，cont的深度及结构本身是会对射级注入效率产生影响的。所以Desgin 需要遵循 DRC Rule，不能随意更改，另外你这里提到的估计应当是纵向管，接触位于射极中心，会减少射极的横向（侧边）注入，在不变更三层结结构，尺寸下，能额外提升发射极效率。很多BiCmos中会使用一个Contact来做射极连接。其他寄生还会有些利弊影响，可能不是主要考量因素。这是我暂时能想到的，供LZ参考，不当处请批判指正。