9/2 新竹 2011年ARM Physical IP技術研討會

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Critical SoC Techniques for 1st Silicon Success
# x( ^& ^: ^% Q& a第一次就量產成功所需的關鍵SoC技術
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消費和通訊市場的發展日新月異，市場競爭日趨激烈，其中產品性能不斷提升和功耗不斷降低是主要推動因素。對於在智慧型手機和平板電腦上實現最新的3G和4G應用內容而言，這些性能特性是必不可少的。

0 F, ?8 h/ I$ h" ^3 W/ |當話題轉到先進製程，許多晶片設計人員就會發現，要為此類先進應用提供所需的下一代性能、面積和功耗管理，他們也面臨著各種挑戰。

# E. r7 Z- z. X) y" X1 e* W% Z! z•性能目標不斷提高、漏電流也同時不斷升高、功耗要求持續降低，令設計工作日趨複雜。
. }3 G% K+ P6 b6 o7 Z, ^( Q2 q•低耗電模式意味著喚醒時間慢，並可能造成存儲狀態流失。
: i' _$ z, q5 t% T# I0 C4 T•新的性能和功耗管理工具可能需要專門客制化的實現技巧，因而就拉長了設計週期。
•為優化系統性能需要多次進行反復設計，因而推遲了產品的上市時間。
•先進製程設計變得更為複雜，Sign off週期延長，測試工作變得更加困難。

8 a/ O5 o* ~" A6 l7 Z上述這些設計困境使得設計週期延長、量產時間推遲，導致市場占有率減少、收益降低。但我們可以減少這些設計難題! ARM舉辦的“第一次就量產成功所需的關鍵SoC技術”研討會將為您提供各種有價值的資料，幫助促進SoC設計成功。該研討會將探討先進IC設計和製造所面臨的各種挑戰和解決方案，其中包括：
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•在達到最高頻率之下，仍然可以進一步降低功耗。
•如何降低SoC的動態和漏電功耗、降低回復正常操作模式所需的時間與功率及資料存儲之間的平衡，包括多電壓供電技術、DVFS等。
•如何採用行業標準的EDA流程預測SoC性能，縮短設計週期。
•如何從SoC設計環節開始提高產品良率。
! n8 f  Y# P0 w' z( `: r9 B. p! x•如何驗證低功耗和multiple timing corners sign off.
•快速實現一次量產成功的 “必備”技術。
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3 y: z6 o" x& t1 W作為一名先進製程晶片設計人員，必須始終以最低功耗和最高性能作為SoC的設計目標。但製程不斷演進，為SoC設計帶來了前所未有的複雜和困難。您在開始下一項新設計前，請務必瞭解和掌握最新的制勝法寶，從而克服各種困難，設計出與眾不同的SoC，並縮短產品上市時間。立即註冊，參加ARM的“第一次就量產成功所需的關鍵SoC技術”研討會。

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議程表（下午13:00- 17:15）

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时间	主题	演讲者
13:00-13:30	報到
13:30-14:00	半導體產業趨勢	Ron Moore	ARM策略行銷處長
14:00-14:30	ARM Physical IP overview	Joel Rosenburg	ARM產品行銷處長
14:30-15:00	降低SoC功耗和提高密度必備的有效方式	Faisal Goriawalla	ARM資深產品行銷經理
15:00-15:30	同時實現最高性能和最低功耗的SoC實作方法	Mickie Liu	ARM亞太區策略行銷經理
15:30-15:45	Break
15:45-16:15	Silicon Success Right From the Start	Mickie Liu	ARM亞太區策略行銷經理
16:15-16:45	DFT -提高良率和性能	Joel Rosenburg	ARM產品行銷處長
16:45-17:15	超高性能四核芯CortexTM-A9的實作	Cadence
17:15	結束

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*主辦單位保留會議內容最後修改權益
本活動採取網上* 報名方式，即日起可註冊報名。報名者經主辦單位審核通過後，會以電子郵件確認報名成功，並與活動前三天開始寄出電子郵件確認函。活動當天請憑確認函辦理免費入場。研討會席次有限，敬請從速報名。我們誠摯地邀請您前來參加本屆研討會！更有精美禮品等著您！
* 針對初次登入ARM官方網站報名的與會者，全部將需要註冊兩次。您的成功註冊分以下步驟：www.arm.com註冊 → 收到ARM確認註冊成功郵件 → 點擊郵件中驗證連結 → 以arm.com之帳號參與本次seminar註冊
) D, t5 K1 l' O諮詢專線：(02) 2627-1681 林小姐
日期：2011年9月2日（周五）
3 K* C: u. _2 C, T5 G$ g時間：13:00pm~17:15pm
地點：新竹國賓大飯店
地址：中華路二段188號
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