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Critical SoC Techniques for 1st Silicon Success
+ a: M) H- k5 D0 a. o! K第一次就量產成功所需的關鍵SoC技術" S/ v) [- |* Z0 e# ?8 N
- _( Z; w+ ], n: q+ K1 T消費和通訊市場的發展日新月異,市場競爭日趨激烈,其中產品性能不斷提升和功耗不斷降低是主要推動因素。對於在智慧型手機和平板電腦上實現最新的3G和4G應用內容而言,這些性能特性是必不可少的。8 b, u- p* O; P1 m; U, c# y" ]6 |
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當話題轉到先進製程,許多晶片設計人員就會發現,要為此類先進應用提供所需的下一代性能、面積和功耗管理,他們也面臨著各種挑戰。
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•性能目標不斷提高、漏電流也同時不斷升高、功耗要求持續降低,令設計工作日趨複雜。# {2 i1 R; h* d1 v P
•低耗電模式意味著喚醒時間慢,並可能造成存儲狀態流失。1 k# u3 V) |9 y! I8 o8 D; c
•新的性能和功耗管理工具可能需要專門客制化的實現技巧,因而就拉長了設計週期。- h' x$ ~4 ?8 l6 N
•為優化系統性能需要多次進行反復設計,因而推遲了產品的上市時間。
~; P% U/ L6 u) c( W( P2 u; A" ^, c•先進製程設計變得更為複雜,Sign off週期延長,測試工作變得更加困難。
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上述這些設計困境使得設計週期延長、量產時間推遲,導致市場占有率減少、收益降低。但我們可以減少這些設計難題! ARM舉辦的“第一次就量產成功所需的關鍵SoC技術”研討會將為您提供各種有價值的資料,幫助促進SoC設計成功。該研討會將探討先進IC設計和製造所面臨的各種挑戰和解決方案,其中包括:
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& I. i' U/ U* x, Y/ v& w•在達到最高頻率之下,仍然可以進一步降低功耗。0 K5 G+ i) J+ E l2 ^3 _& O: Z
•如何降低SoC的動態和漏電功耗、降低回復正常操作模式所需的時間與功率及資料存儲之間的平衡,包括多電壓供電技術、DVFS等。
, \9 ]% {/ J& _, b5 B% @7 e* C•如何採用行業標準的EDA流程預測SoC性能,縮短設計週期。: H* p5 C1 W' z9 x3 D' Y/ ~
•如何從SoC設計環節開始提高產品良率。+ n5 C& Q9 D4 g0 h* F
•如何驗證低功耗和multiple timing corners sign off." W( g9 E: g4 {2 \. `9 X3 B' q6 b
•快速實現一次量產成功的 “必備”技術。' i. @$ S- i* {3 W/ y6 Z8 C
. i. X |' @0 J' ]& d作為一名先進製程晶片設計人員,必須始終以最低功耗和最高性能作為SoC的設計目標。但製程不斷演進,為SoC設計帶來了前所未有的複雜和困難。您在開始下一項新設計前,請務必瞭解和掌握最新的制勝法寶,從而克服各種困難,設計出與眾不同的SoC,並縮短產品上市時間。立即註冊,參加ARM的“第一次就量產成功所需的關鍵SoC技術”研討會。 |
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