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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 請問layout後的電流
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[問題求助] 請問layout後的電流

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1#
發表於 2011-5-6 16:35:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
您好0 I" n2 m; _1 _7 Q# p

) J+ C/ X. h( ^4 B' k0 Z8 f我設計完一顆opa(cascode_opa)
7 E& D4 Q8 S/ H6 e6 P, Q7 z# a$ dpre_sim時，輸入端上方的主電流是40uA: j$ \  N& U% g3 }/ @2 K+ W* Z
差動端電流各20uA
* j+ N/ i% m$ ]7 C( X1 P! R- o0 Y
7 V' M" ]8 p. ?2 P& X7 }6 H但是pro_sim後的主電流卻變只剩10uA
' n! `: F' l1 G; X5 [差動端只有2.5uA* z. A, F8 O( P8 M3 k- G1 M8 T

( g+ @. M9 r5 t$ D6 A1 s$ a請問這是layout上的問題嗎?
2 j: ~: _6 H6 Wpo一張部份圖請教各位!1 E  p' w) J9 C/ s, I
" |: R/ G" ^$ r- z+ x
下面是差動開關# m5 E. v0 y1 ?/ e6 y: ?
上面中間是主動流源

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2#
發表於 2011-5-6 18:37:53 | 只看該作者
那RE LAYOUT吧，POLY當導線是可以，但是用在OP，，考量點會不同，還有蠻多可以改善的。
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3#
發表於 2011-5-7 00:06:34 | 只看該作者
不知道你有沒有電路圖跟他的size
. x# N3 x0 ]" ~% B$ O6 c8 ?( p3 A6 J9 G% j
有的話可以貼起來，小弟實力還不夠，
+ @5 S  ~5 f- [; f7 [1 t
8 o" a! N+ I1 q  R" p需要電路圖跟他的size才可以做一些比對，謝謝。
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4#
 樓主| 發表於 2011-5-9 16:08:40 | 只看該作者
那RE LAYOUT吧，POLY當導線是可以，但是用在OP，，考量點會不同，還有蠻多可以改善的。 ...# k( ~6 l/ |. [/ n
ONLYFLYSKY 發表於 2011-5-6 06:37 PM
; f6 }- [+ T* S' }4 e3 w

6 a8 B3 u: c' C5 Z% J6 U4 C. w, w" I4 G6 o

: B/ b2 t1 y- i, l6 u  |* K5 _' }* Q. }  L' E4 ?

) g3 P0 h; w" N0 }7 q! P您好
. Q: ]: x5 f! ?. i. w. `3 s/ U  y# c" l2 d; N
一開始沒有注意到我用到poly連
0 d/ h0 @' W/ y6 @" k' n; G- j
3 m8 ^% }+ P$ V- g但後來我把gate端的地方改用metal連接，可是好像沒有比較好耶!
, S0 |: e# }; K0 O, K$ x3 D& a  w! q) q結果是一樣的~4 N* E3 N; g, _9 k" @

, ~3 Y! M& F7 ~, T0 K- D7 ?可以給個建議嗎?(應該不至於會差到這麼大)
7 n$ B6 b3 H% s# v' d: h  _9 @! l/ u" v! `3 m: F- T
而這種layout排法我是參考一本交大電資，所教導的佈局方法!
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5#
發表於 2011-5-9 17:13:18 | 只看該作者
你好小弟不是RD,我認為LAYOUT影響的不大* D1 q6 p2 \9 V; k3 i% o7 {: j
不過看一下LAYOUT我覺得可以把GUARD RING上端處加粗畢竟從MOS的角度來看若是希望MOS DRIVERING能力夠強,則會加大他的WIDTH! }0 G3 t9 i/ I2 f  m9 G9 W
但是光加大MOS,但源頭不夠粗相對IR DROP則也會比較大,若還是沒差很多看你LAYOUT並沒有其他會影響結果很大處9 p; f) F3 \' T+ F2 m

4 r9 ?3 {! c5 X: }! s* n$ z以上是小弟的淺見,若沒幫助還請見諒
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6#
發表於 2011-5-9 17:18:53 | 只看該作者
抱歉剛英文打錯是driving 不是drivering, e8 p7 Q  c( A0 M3 B
  d( ~* [- D( [" Y# Y7 T* `
RD給我的觀念7 v- r) @( f5 x5 ?: I+ p

& q, j" Z1 h; P/ L- Y' h->GATE不吃電
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7#
 樓主| 發表於 2011-5-9 19:23:34 | 只看該作者
抱歉剛英文打錯是driving 不是drivering
) f) O: F( p! ^+ V4 K; m( |6 X0 n' I! n- {
RD給我的觀念
8 `2 N; h. q8 `" {8 T! o9 d2 W% o6 N( K. [. ?/ a6 Y2 G( O
->GATE不吃電
+ ^, k5 o+ ?/ `7 m/ C. `7 mh2off0202 發表於 2011-5-9 05:18 PM

. @$ r- y3 {% ]( N% \
# h3 ]7 i1 J3 m. k$ Q& X4 r. ^' n6 K1 b8 X  h( h7 C1 G: q# t
您好+ a( F/ o; H* A$ n# g' F0 \

2 K6 ?) b1 b  n7 s所謂的不吃電是指不吃電流是吧?9 b, J9 |: U7 @6 J4 |/ @$ Z* V, c! f
這個我清楚- D3 ]% W' D' v% s" u

- }1 h2 ?4 d8 e* I所以說再prosim時vdd就要加大來試嚕?( J) C2 X7 Y( E7 e6 T* M
我試看看!) |9 K% N3 Z$ `" n8 h  R) p: a/ o
) i9 d# x6 P& ~: ]' {% }
目前正改架構
& z& y0 V" ~* Z' G' \, }; d  x* k2 S: c, N5 q; O6 f
謝謝您
$ z1 ^" ~) P- P5 I; D3 A, |若有更新的想法也麻煩您
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8#
發表於 2011-5-10 11:59:23 | 只看該作者
不Match  容易受製成變異影響
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9#
 樓主| 發表於 2011-5-14 12:17:12 | 只看該作者
回復 8# shkao0201
2 h# m* g2 [% k! {7 {
# z% j6 J% p4 d3 c! f, T
& x' d0 m4 |% N$ @% g+ V5 b0 r+ W) n6 C0 [: ~
# O4 o8 U% ?$ L* }
    可是我現在的問題是layout後的電流變好小!
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10#
發表於 2011-5-14 20:45:11 | 只看該作者
Power 是否給足夠?Routing Metal Width 足夠嗎
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11#
發表於 2011-5-30 20:56:37 | 只看該作者
回復 4# bernie820 2 I+ Y& `9 n7 b' a8 P9 ~
$ Q2 t. T( ^: I: ]$ s
+ x4 M2 q# `* w) z4 y. l+ K
    嗯，說真的，$ v# l$ c0 w1 |& g
該要圍的地方沒圍，\. {* [. c, |+ x- ~
重要的結點是否將電流供應量考慮進來，--->線經大小影響你的輸出/入電流，3 C% i' s% ]' W4 G8 G
電源供應量是否足夠，1 _( J8 R0 B. z. Y+ K0 `, k
8 v" l. \' {6 G0 O+ Y
拿到的參考資料是多久之前的資料，( [! `$ Q% R. O' P* d' g
參考資料是否符合目前您所用的製程，
3 Y" {6 G5 f, m
5 @8 X" P6 S$ D4 ~對於目前使用的製程，所選用的材質參數是否有考慮進來。
- x) Y) H) \2 H9 [! p. a9 Y" |0 E: e+ l
請再付上您的電路圖。/ |0 L0 R1 |; }1 J  \# N8 _
' U) y9 R: L" |' k& ]( H0 x) o+ w
以上觀點，參考看看。
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12#
發表於 2011-6-1 20:21:28 | 只看該作者
回復 6# h2off0202
4 e- u. [) z' {7 c/ e0 `- y% b% M& Z4 r

: e$ C$ @2 D) N; G    您的講法有誤點，3 f% l1 m5 I) H8 i9 o. B/ ~* [
7 U6 H. V: m9 q+ Q  |
POLY不吃電，那意思是用POLY當電阻時也不吃電囉，那POLY電阻畫大畫小都沒有差囉。- m. u$ E+ `5 C0 A
) N. C+ v5 W- j$ N+ l( N
POLY電阻是會吃電的。: U  |8 }( w' A9 p% h9 j2 t3 \
+ @& U5 W+ _0 k" P3 t, W
不吃電是指，當MOS元件在不導通時，SD間經過的電流受到GATE的控制而不會有所謂的能量的消耗，而對於大元件的MOSPOLY的阻值是有一定程度的傳導速度影響，要怎麻解決請照一般的COMMAND SENCE來解決。
1 S5 g& d2 c2 ?" u
, [+ t2 L! {5 w' \* N4 F' Q吃電，這名詞，我的感覺並不是單指所謂的電流或電壓，而是能量，P=V*I。----->這基本電學有教。
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13#
發表於 2011-11-24 19:11:36 | 只看該作者
我也覺得power 太小 能不能鋪上一片VDD去跑post-sim
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930709
14#
發表於 2012-5-12 21:45:06 | 只看該作者
你的製成是什麼的阿?很不一樣ㄟ!!
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930709
15#
發表於 2012-5-13 20:48:48 | 只看該作者
謝謝大家的分享!!小弟會虛心受教!!
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16#
發表於 2012-5-21 10:14:22 | 只看該作者
你的METAL 有二層可以畫~~所以在上面一排SOURCE 端鋪METAL2 接POWER,要粗最好是MOS WIDTH 的一半
# x* G& @# _4 u) F% D5 T! p2 U7 Q4 S4 m  @! t! {
下面那一排MOS OUTPUT鋪METAL2輸出,一樣是MOS WIDTH 一半 , ?5 k0 j' n0 p( ^: u( M- D* h

' m0 {8 v  u4 E4 F" P% `- s試試看~~
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