如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi

(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
( H/ k: y; T, v( w& GLV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL

* P/ h; q* u; e(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，

如果沒錯的話，以小弟的猜測，
1 S  m7 g# U. V
* p' ?# P) x& B+ v7 }( Y5 y你有可能把電路整個都是用類比的訊號，

類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试

LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
0 L( ~6 v5 ]% E0 Z! t
, O' Z* a1 |4 y' ~5 eLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
  \. w0 u; `8 G% |8 [  {第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
  Z' e4 r8 {' z: L. V另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
才有辦法了解原因為何
( E; r. U* o6 ~
0 B/ k2 B% a5 K' P, }  I6 X# u% X8 _若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
( a1 O  g- M5 {  J& j檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。