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[問題求助] HSPICE输出lis文件求教

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發表於 2011-4-20 14:21:11 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好,
+ ~$ J, q4 O: g) g$ N1 D+ N想请教一下,在HSPICE软件输出的lis文件中,关于MOS的工作状态参数vdsat与vod是什么意思,两者有什么区别?谢谢!+ R( p/ |6 M7 V0 i  R! R$ U0 F

; }* H* J4 h0 K举例:以下为一个简单电路的SPICE仿真输出/ X, d7 w( |+ p. i5 O2 b

) S) t+ f7 r( }$ O0 U subckt                                                              
" f" o9 L& s0 r/ H* p" o- R6 F2 J element   0:mnm0      0:mnm1      0:mnm23     0:mnm34     0:mnm21   
3 P: g& G9 T- r  ~7 e$ t model     0:n12       0:n12       0:n12       0:n12       0:n12     : y3 |7 b& a# i  W% a6 k5 b( c6 H
region        Linear    Saturati      Linear    Saturati      Linear
- Q: n; M8 f; j5 |5 b  id         50.0000u    50.0000u    75.8903u    75.8903u    75.8903u
; `* p% y; K9 M0 J$ b' _$ d1 ]  ibs        -1.7298a  -617.8295a    -1.0610f  -520.0285a    -2.6278a
. m) Q0 W9 H( Y  U$ V5 h/ r- ?  ibd      -220.5844a    -1.3606f    -3.5067f  -878.8862a  -378.2504a
0 Z+ T+ \. b; d. \' Y  F  vgs         1.2000    499.6118m   508.0410m   545.4162m     1.2000 2 y$ [* a* P) m- d' S$ c1 \: M
  vds        16.7670m   499.6118m    46.2461m   630.9828m     8.3378m4 E5 F% {; T. I+ [4 D. W
  vbs         0.        -16.7670m    -8.3378m   -54.5838m     0.     1 r6 M" D+ v. t2 R
  vth       453.4941m   363.4938m   361.5682m   399.4941m   453.7360m: X# p# P) S5 a/ g7 J
  vdsat     340.3907m   147.0403m   153.8298m   173.5895m   340.3681m4 N* K) p& M1 h2 G- r( W
  vod       746.5059m   136.1180m   146.4728m   145.9220m   746.2640m

5 _: [  L9 s  q" g  beta        4.8833m     4.5744m    13.7312m     4.7731m    14.6481m+ W% E+ V5 H' j, r
  gam eff   474.4148m   483.0213m   482.9758m   480.2178m   474.4145m$ Z. ?9 d! r+ ^. \) b  T
  gm         44.1180u   558.2616u   557.4533u   666.0663u    65.9494u* m$ A7 C; _* }, W  Y
  gds         2.9133m     5.3509u     1.3369m    32.8252u     9.0528m
! w3 ^+ L1 b  j& ?* E1 U. L: F  gmb        12.3124u   129.7980u   129.9790u   128.3843u    18.5011u
( ?' t- D1 Q+ U# z+ H# W  cdtot       4.0640f     5.0505f    60.3849f     1.4360f    12.2802f
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2#
發表於 2011-4-21 10:19:42 | 只看該作者
Vdsat: mos操作在飽和區的最小Vds
$ }& F& e, b4 q# x0 e) N! }2 KVod: Vgs-Vth就是Vgs超過Vth多少
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 樓主| 發表於 2011-4-21 11:30:49 | 只看該作者
謝謝rice019的回答!基本理解了vdsat與vod的區別!在低級MOS模型下面,幾乎可以認為兩者是一樣的,可以這樣理解吧?
9 k0 q& @. a- N* h, l還有,導致兩者不同的原因是不是由於MOS器件的短溝道,窄溝道等等效應?
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