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[問題求助] TSMC 0.18um 電阻精準度問題

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1#
發表於 2011-1-8 16:09:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我最近剛接觸TSMC 0.18um製程,想在電路裡面製作一個較精確的電阻+ R' R2 \5 B. I  n
這個電阻是要用在高增益高頻寬轉阻放大器(TIA)當中當作resistive load使用,大小是數個kohm$ u0 e* E/ R# @# w5 s  z

7 l, a) u5 M. u/ W* x6 ?目前查過製程文件資料,發現diff電阻的sheet resistance (Rsh) 的變異量似乎比poly電阻更小; b  s2 q4 a- b% |1 E
p+ poly w/i silicide Rsh變異約 30%  (7.x 正負 2.x)
7 W, @+ Z4 Z0 }) f0 Z0 Zp+ poly w/o silicide Rsh變異約 15%  (3xx 正負 50.x)
  {* n' B9 \" ^/ k8 t" L3 An+ diff  w/o silicide Rsh變異小於 10%  (5x 正負 5.x)" {7 ^& t9 @' O( p1 |0 Y7 A

( A  W- O3 ^3 V7 o但是查了一下先前論壇上的文章,似乎是說poly電阻做的比diff電阻更精準??% [) T$ [+ [8 l4 D- n3 Q
可以請各位前輩說明一下嗎?8 y! g: e  u) b" c& N6 U' `! _

  a9 V' S. p4 |9 B& [另,如果想要使用這些電阻做為resistive load,是建議使用poly w/o silicide 還是 diff w/o silicide呢?6 K) q3 a  M% g" h4 i, Q
感謝回答。
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2#
發表於 2011-1-11 11:18:29 | 只看該作者
絕對阻值用diff6 ^  e' W; v7 |  k. z" Y  M) e
相對阻值用poly7 ?" D, @: d: l8 f( b
面積考量用 p+diff or poly/ V$ n& K, [! A1 U6 q9 L
溫度考量用poly
5 u- P$ L4 T0 s( ?/ c) Npoly 電壓考量用 p+
& i3 a2 R& ~, @2 o3 u- b, T3 S& jdiff 電壓考量用 n+

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參與人數 2感謝 +2 Chipcoin +4 收起 理由
frank822 + 2 good information
semico_ljj + 2 + 2 不錯!

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3#
發表於 2011-1-11 15:48:37 | 只看該作者
回復 2# shangyi . C( K0 T/ l. K0 T
5 B: V  s' o6 x- Q/ T0 j6 i

3 q. t1 _' q% U( Z, h% t  O0 w    可以請大大開示一下嗎??. C  Q8 n4 S/ T  ]& A
這結果是怎麼來的?? 很有興趣想知道
6 o9 w' B* x" M關於製程我一俏不通。
4#
發表於 2011-1-12 21:40:58 | 只看該作者
还是需要大量时间来实践,才会有实际的感觉
5#
發表於 2011-1-12 21:41:04 | 只看該作者
还是需要大量时间来实践,才会有实际的感觉
6#
發表於 2011-11-2 11:17:56 | 只看該作者
shangyi大大所述很具有參考價值~
  Y2 ?" D* F! _- x7 c
- U1 r, C' S# p% r# m謝謝分享~
7#
發表於 2012-2-18 11:57:27 | 只看該作者
感謝shangyi 大分享5 A+ \% T) r" L3 ^
獲益良多
8#
發表於 2012-3-13 13:18:04 | 只看該作者
感謝shangyi 大分享& O3 v1 V% s( k" C9 P
6 E1 z2 i# b" K: t獲益良多
9#
發表於 2012-4-11 23:29:01 | 只看該作者
自己翻書找找看制程工藝方面的解釋~~
10#
發表於 2012-4-19 11:12:17 | 只看該作者
我只能提供
# o' k( U0 k+ o3 Apoly製程漂移大約是20%; h" A' k  @8 }, p/ O
所以絕對值的話用poly要考慮清楚喔!
11#
發表於 2013-10-13 13:50:52 | 只看該作者
絕對阻值用diff5 c+ Z9 D; W) \/ m
相對阻值用poly+ m8 Z5 H% a; K6 Y: P3 i4 k7 n! @5 ]% A. f& V( J/ p
面積考量用 p+diff or poly& ]; @" l- t2 C* e/ o4 G2 b
( n5 q, m0 D& c5 y3 P* A溫度考量用poly
) J! G( L3 B, d  h- Jpoly 電壓考量用 p+8 [+ u0 x# k( ~; c$ i! J! F2 A
diff 電壓考量用 n+
  z* Y5 _3 f! U. W. Z' o0 J8 b/ K5 Z; U8 D, k/ z1 L  J+ g: o( e
請問這些考量是如何得知的?0 l7 H! l, ]' s1 ^/ Q7 k, Z7 V
很好奇
0 S  G5 c$ ~! E8 g  x# I我家都是POLY
12#
發表於 2013-12-5 16:48:33 | 只看該作者
poly比較不會有實際運用的問題..
, {$ P! x/ Q% kdiff和od阻值易受body的影響
13#
發表於 2021-7-31 18:17:37 | 只看該作者
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
14#
發表於 2021-8-19 00:15:02 | 只看該作者
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
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