同樣的ESD設計，爲什麽差別這麼大

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使用的是0.5u的硅柵工藝，輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護，輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
$ W7 [; b. Y' N) eESD測試結果差別很大，請教是什麽原因，下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
& a. O1 S: {/ Q! W
0 l! ]" E+ B# o- p+ c+ @7 wEsd test summary:
1 b! ]; p  \: T+ Z2 l: H  r  l
! S- V) ]; j* o8 d0 N* u/ h: _/ h) fESD TEST
" j- s9 Q$ K. @" P3 `9 ~
& \5 y$ o& V. p  X5 H
PAD
4 j' Y0 ?. y7 g' c/ o/ O" ]

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回復 1# cltong
2 [9 S- K( c4 n
整體佈局

4 r' `) r- c& Tpad    layout
9 Y% M! r2 r+ @$ z1 @5 Wvdd&pin 28-38,1  esd protection
$ N2 P1 F+ m- }. M, h/ }, k
: s! E. B; P! Z9 M3 Mpad 39 40 esd  protection
- a9 [; B- t2 j+ ^( O: G
4 q$ X' |9 v3 hgnd &pad7-14 esd  protection
+ x/ o1 y, F. g! L

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回復 3# cthsu1


    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail？可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎？

4 `) ~$ [1 q5 C; a! n! o
輸入端基本上都 pass，而輸出端差別就大了，有兩個輸出端口1000v都沒有過，（IO TO GND +)， 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護，只有有個NMOS放在GND旁邊。

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回復 5# jian1712

  \# h: _% O( ]  i6 U+ ]
, F( R# \! G; s' u* k3 c& B/ `   

cltong

回復 7# jian1712

2 h) J4 `  Q. u( i7 Y+ _
    是的，输出BUF直接代替保护。这样有问题吗？

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csmc的工艺，无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。

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. J" f! R6 ?5 O
9 R3 V: s0 ^1 ~3 Y9 z4 z7 L回復 12# jian1712
* }* ]' C; ]% G6 c3 \  p
6 Q, E1 a' R+ l. g" ?) z
    是的，27-38是输入，其他的都是输出，输出的ESD怎么做才会好些？难道除了BUF还要加保护。


  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出，而输入的栅是固定的。

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回復 14# jian1712
; @; c1 U; n* Q% F  I

+ y1 m& o: M6 \9 ~- y& k' t/ v   

  PAD layout & display file& technology file

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回復 16# spsun

7 a( x7 G% \. G. N" X
( O) u* S# f0 {& c    PCB上没有特殊处理

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esd 更改了一版，终于过了4000v