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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
8 E4 J3 p6 A1 J+ |ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。0 V4 m( G3 C' C! H9 ?- m# @8 R8 `

% @9 O0 _, @9 U* G5 UEsd test summary:
. T& W. @* G  }# d
4 S6 f1 J5 J4 w+ g% E3 IESD TEST 5 z% W8 ?" ]7 [7 f0 |

6 I/ n3 U* ^4 Q! Y( X. r, G; V1 U( V* W8 E
PAD
  @/ [( j/ X; i1 y

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
7 R) I. A8 {8 T8 g- S3 s6 h7 m
' N* n! t8 y- u整體佈局
. O" t( ^: Z4 N- \! V% l& W7 A# v' j4 H7 U, {
pad    layout
  p4 w; U0 b# }' D0 j9 `vdd&pin 28-38,1  esd protection
- M' [1 j0 E1 ?/ M" |' I* J7 w" m, _% w
pad 39 40 esd  protection* `' p6 v; \0 k4 n4 \; D. O# I' L
. f9 P: F5 R/ A6 t7 n/ V; C7 ^
gnd &pad7-14 esd  protection
5 k$ b: f8 i+ I% y6 n

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 8 B' Z' }7 j# C8 a9 m0 @7 q& y. o8 K
& \  L8 w. U" |8 r
# }* A7 v: I6 j5 P4 T
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
$ B, A( e+ @4 x' A3 P& w2 @: D( r9 C* f) ]' t6 I; E
7 u' T9 B/ j3 e; \
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
& a, {4 V) v) s7 q8 l) @; l2 Z可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
* I4 T: G: r" f) @. v8 {2 I+ ~4 `
9 q' |9 g8 G* s1 h5 |! h" i: B1 N! ]* @3 f. L& `# ~0 s
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
# k% o# A1 {% Y, r2 f/ @0 L" Z' w! j# L我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
$ y; R+ t- j0 v) F8 ]& T, c% e* E' k4 {
1 [5 j- X( D( M! _
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 0 J8 k$ V2 g2 p4 @( O
# {2 ~! r+ a( |7 `" G. j/ {& S8 g
回復 12# jian1712 % g' @" N: x: m9 }! v6 H. O( J

: @* E# a& l7 V- T9 i/ w. ?/ h$ V% O' N# s' ]4 b6 h; K
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。' W! ~8 k+ ], M# O- B  w2 E

. C( c7 A( D- _$ k/ I7 N; W" K
1 L  K; L5 b& n5 G  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
2 G" c* R7 d2 |2 n3 M, d- ?( o7 W
& p5 O. ^. R! r
6 ?4 k( ]* x0 F$ z6 l   
) d7 ~9 [) p- Y: _4 @% V8 w5 g! p0 M' J4 w; N* i
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun 3 G0 i) Q5 O: c6 v; A0 G2 {$ ?
; b% [) ~8 }8 {1 c' s' W
9 W- X1 g- @9 |8 B1 L$ P, ~
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
6 q. Y2 x2 O- d( {2 w# R若PAD沒串電阻, 就直接到gate,* B( a5 n1 `9 V! k! j9 i9 K
這是相當容易造成gate端燒燬,  X  v( p% E4 t0 c
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
  @' ~% r2 ^1 L( ?9 `9 e* `/ ]6 L- h# p6 G而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,5 G2 z2 \8 Q# `
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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