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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
- S  M# t) Y8 Y0 O4 M8 Z: o0 D3 v; JESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
) r; A2 _8 t2 b; ]4 K# x
" B2 \1 X8 w9 ^% v4 KEsd test summary:
1 ~  i  b  t. S- T- I& w( E+ X) P  A# R. J: I3 g
ESD TEST 7 [7 d. n7 t8 ^) B5 A8 j( ^
  ~7 v  r2 j% S; j3 x! h& t
: Y" |$ X3 ~% \/ ]6 T( C
PAD3 E( Q* w) m4 {* ~7 W) a

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
! h, Y1 o1 v4 V9 u# N
$ n' q7 B. F$ N9 |4 g+ z整體佈局
- U/ a1 P5 \+ ^4 S
5 [8 P% I5 z1 I- kpad    layout' K( l6 t  H9 K" p
vdd&pin 28-38,1  esd protection8 h( ]0 f9 U1 a

0 p8 o7 j; G* `7 _2 kpad 39 40 esd  protection6 |: }' V: i; d4 [% K+ L! l
& Y, Y+ X5 ~# w
gnd &pad7-14 esd  protection( ?9 y% K; Z' w  y, o. E9 [% H

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 ( a& H2 }8 N6 h( O, l( z  b

/ V+ s, d/ y" V2 K+ c) b) J; X% M6 H  g- Z; f  m+ \! j1 `7 ]) k
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 3 m7 g3 {* D4 H, B0 J( ~
2 ?) R" `+ k3 w5 L/ t+ \

4 I; L7 n) w7 F9 ?7 [5 d輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 2 r# c6 Z6 X+ l4 ]5 [7 `8 ^
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712   n5 }& W5 w! X% [) s3 f/ E
& O& |" ~  B* o; P

4 H( b2 u* P. u# ]% t# Q. X, m- w   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
, I/ G; O9 F( N2 M% L4 S我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 - E  Y7 ?7 h) B: P
. ^) w- u, v; O

# \" X6 k0 a1 W/ L5 j& P    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
5 ]0 Q; V2 \2 e8 s7 a  ^
, ~" }% t, G, ~8 `6 a2 {5 K$ |回復 12# jian1712
+ \9 T7 B2 f: Y4 B4 s
: x; X7 \" z8 f" y
2 r% d4 J( z1 A9 ]* }& z! V    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。* A5 a. u! ^: z, Y$ I5 G: |
/ j0 h0 f. m  q& h. Z. H# a8 ~

6 ]( ~4 N8 x% A, G  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
# p. M! y4 |& z5 Z6 M4 n( S2 L) A7 ~; V6 ^/ p- V1 \
" {5 E9 T1 _1 V: j1 M/ M2 x! a/ k4 p
    . p' w* C0 k6 S* G) `

  Y) M& J7 |9 h: J$ |9 u  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun - ]% T6 b2 y  Z, \/ t8 t

( O& f% E+ I* h2 U6 R$ A! g. q
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
& V8 E2 g) s0 O. t9 b* H若PAD沒串電阻, 就直接到gate," Q2 X7 k& c, F1 V
這是相當容易造成gate端燒燬,9 h5 D9 k" V( R/ e( W; Z# X4 m
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,8 n$ {  C( T$ W9 k% U$ ^
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
/ W: W: U0 ^9 t. |+ h7 q5 P9 p如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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