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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
; X; ]4 X* E/ ?( d/ Q7 vESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
4 @: p, n* }8 |4 R
/ o% d: n  n5 l! N$ O, qEsd test summary:. D# r% S% W  D( A/ y8 D+ ], u
9 F) }+ T- w" R7 Q% o; _0 J/ z
ESD TEST / @) L; \4 K7 C# S/ Q. U" z

9 S- A, G6 d4 `  n/ ~
- k9 D' D3 U  Y1 W) i- QPAD
9 W) R7 |' x# ?7 h" i% V% p% b! U! Q

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
$ S1 G8 Z0 u9 V8 i- r3 s) J# p5 W
$ N! m2 \9 g: z: [6 E, O整體佈局
. C" Q- _. b* P+ @/ }9 E/ M" ^4 J" p, m2 J" W5 Q2 z3 n4 Q9 U9 ?
pad    layout
  r! \3 `4 C" dvdd&pin 28-38,1  esd protection; M. \* a- B% j; T3 f, N) E: s6 ~
0 _( ?. Y7 Q1 V5 {; L2 ~, T
pad 39 40 esd  protection
1 Y, t8 N5 ^/ q4 x. ~: u0 \$ B/ o3 Q' t/ w9 ~! N- _* F
gnd &pad7-14 esd  protection
  X' {+ _* n5 i! L5 r4 f' F- D

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
( [' a# Z# R) a+ ]
5 R5 C  y7 G5 y5 t- q5 y* n+ \6 R8 a, V9 ?$ c0 a( ?5 I9 L% u, R
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 8 b7 ^& ?. B2 m

- z! D, o# l- _  }' c* u
( Y! k, j2 m" Z  i2 H輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 7 q1 y. ~7 H/ j& v$ V
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
2 l+ ]8 b3 [: W' @! C6 v9 B; {
, ]8 x2 w# ~0 Y
$ q' {7 G- q, R" |0 ~. B4 A   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong2 J( p" m6 Q% t
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 ; t  j7 `0 Q* ]/ ?
# @" d' V2 h+ {( G+ S5 N
8 y& X0 b4 ?. g' L% n
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
; J( p$ q8 O  A. v
* q) W- d* }; e9 u回復 12# jian1712
& ?' Z/ H7 a$ U. s4 L
. B6 B# Q' W- b; s( R  R
0 E9 o3 [! ^5 G# o, _( u    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
; y6 z. f( R# s4 D( Z3 u4 H- p
; T2 j$ r+ Z! Z$ R
# D# e: B. B1 {2 L% c9 p  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
0 b+ u4 D* U$ R6 s( ~: c
( \7 i8 I% w+ u/ I7 A) D* ]. W7 ~: W  P; L
    * {. u. u' |1 e: P- @, V5 Q9 M
2 C$ _$ p% f; R' }
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun   S0 P3 Z6 A. d! v% c; ?7 V% n
9 `4 a, U0 J: C

3 V' Q: X' [1 N- ]" W    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
- ?$ i7 r. E# [9 ~若PAD沒串電阻, 就直接到gate,- @8 `# u, j5 u- p+ k; [
這是相當容易造成gate端燒燬,
( L( ?0 b, c) |1 i5 x. J* S: i給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,$ O5 r( m$ d, C2 ^( i
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,: o0 b$ X! e4 u- }( N) |
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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