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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?# s  T; t* z5 \) M- [3 Q
有好多种cap啊
+ {& S& k* B# ?5 Hpip 两层poly作两极板
: s1 X3 B' a+ m+ u8 CMOS cap  就是PMOS&NMOS管: W9 v% Y/ w1 P- j  e! s
MIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板, t# H. v& @+ N$ H5 b- m- `
Nwell cap  nwell上面加层Pdiff & N9 n6 b' B. h
等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um 6 t9 {& F9 s+ R4 z
在畫 POLY2      Z um X Zum 5 x9 E: q9 S8 Z% x& E  _, |! U
通常  下層版 較大  RULE 會有
2 i3 a5 V4 l, O. B6 d; B做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1) K) u+ g$ e1 h4 m! |
做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2
0 T9 k/ |. Q9 h+ ]" e2 Q& o. XX & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~
4 H! w! K& F1 s6 |你可以去看看你是否有申請~7 l5 U; Y: S! e5 ^. w) y% M% c
這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~
% n8 E2 I; s/ [( ~; {7 ^! B% K0 \由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...8 y8 p# ~5 y0 Y, e# b1 o
但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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