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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...) @3 A. F% e) W
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...2 u( y- S$ A! P) H1 a4 J+ J- s
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
* w( l( ~5 ^9 s) r6 g  c: V4 s才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨/ n# x( ^9 t$ V) D3 _, z5 E
PAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055 7 F* _; J( Y7 J3 l
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
3 V+ M+ M0 b2 U希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!
7 U, {. W$ h( J/ {7 Z$ n9 ]
8 t/ j3 d& [# n. _   

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5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055 & D4 T* \% d& I9 |
! e0 _% d8 j# E: a( H: h( E& V+ g
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...3 f3 y) _" K+ d' N; w3 I
可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme
  U; h% v0 T1 Q- k8 u
( ]3 U$ q6 w/ ~/ R' C' Y& `9 \5 }- O: M/ j
   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 - u- A$ R7 K/ U: W; T) E
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開; W% P. v4 U& _
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師, k! G4 D/ e  x5 w5 x
看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.6 A) w" |5 R" v% k
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih
9 U, i3 `5 z, o5 a. n' k9 @1 ?8 M9 i, n/ n  y3 W2 d
謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..& S- R/ x- c, T$ X
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.$ l* W' [- A9 C9 |: ?/ j; s2 l9 C0 t
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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