請問關於動態比較器的問題?

bancroft

最近，設計一個Latch-type voltage sense amplifier，
即有clock先把輸出做reset至0或VDD，於另外一個clock狀態下，即作輸入電壓比較的動作。
在前模擬時，兩輸入電壓差可少到1uV都可比較出來，
可是在佈局後，就完全比不出來了，也可以說幾乎沒功能。
# r: r. H% y* e( L, ?3 d" z. I8 I我後來測試就其中一組MOS是佈局，其他都利用schematic的狀態模擬，
- G! }9 C7 H* s" P光是這樣其可比較的電壓差也需到0.2-0.3V左右才可比較出來。
* `0 L6 j' J; R( I& f5 k4 E9 ~後來發現相對的MOS其走線要一模一樣才會比較好，可是還是沒辦法像前模擬一樣。
, O! Y) k7 O' z2 O$ w3 a可是如此一來，也不能做同重心的佈局，即會有製程濃度梯度的問題產生。
' l/ Q2 t. }4 n7 w所以不曉得一般動態的比較器是否才會有此問題，
0 i) D* f5 _! w9 Z5 f因為之前用過對於一般不是動態的比較器，前後模擬也不會對於走線的匹配那麼的敏感。
+ b$ d' X- x6 F( w即使利用同重心佈局，不是動態的比較器其結果與前模擬也不會差得太多。
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% p5 z$ j2 A9 `, ~: e0 c! Z/ g& y所以想請問各位大大，到底是什麼問題，還是對於動態比較器的佈局應該怎麼做才對?
另外對於動態比較器可以去測其增益為多少嗎?因為是clock控制，不知道怎麼去測增益，
9 l  T1 E1 o4 ^2 X+ P還是要根據比較器最小能判別的電壓差，然後跟據VDD的值，去反推增益嗎?

我想在請問一下，於latch-comparator前一定要做pre-amplifier嗎?
- Y' o( ^/ y. b: |) `; ^2 f於其面的模擬中我沒有設計pre-amplifier部份，就直接是動態比較器的主體，這樣會有差嗎?

麻煩各位指導，一直很苦擾，不知道怎麼解決此問題，謝謝!