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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 G& T( W* ?3 E9 l

5 j3 c2 [% V1 t5 {- xpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 l/ o7 h  [; x! E! S" W' [3 }9 b大部分是要match
; V, a: X7 E7 P! i$ z! N$ e7 {Metal poly  density  不夠
3 T& F, \0 y5 W4 I加ㄉ那些也較 DUMMY # |* C; V$ c* t' I$ i- j7 R
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( T# z8 {, L9 f- [5 P# W% w& i8 S- z- b; N) ?- w
0 i2 V( l3 ?# E" L
    感謝樓上的大大, K$ L# m3 v& @+ M& W
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 E$ Y$ D( g0 e
* k6 H5 L% ~/ o! A0 t) n1 s, _/ }5 y# B8 z2 v
    感謝您回覆的這麼的詳細
% s# i% O# _, w您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) a) T! }  R% U0 C! p, M; [

, m1 j$ K) |, l8 i- u" D6 Y4 Q: V不過簡單來說- h3 J* {- V" W) n
在製程時食刻會破壞掉你的元件( S9 q1 \7 O' U- b6 \! K2 C
而特性就被損壞
! h& _1 X# m# a9 M: d- q/ h- N# A6 n% z- E( g4 L
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& f7 R& ]) P. y1 P( l4 B0 T$ J* f所以蝕刻吃他最多5 |: P/ X( Q' D8 r  c" P+ C/ t! R
主要部份特性就不會被破壞4 B, z* n0 ?3 _; u# x7 ]
- N- ?* p. @- O* W8 u. M5 Y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& j; ?! k0 z& j6 v6 S所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ ]: p. y3 l8 p& J9 u
. \7 E! d( ^! a! z" [' w又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 n8 g  b9 m0 y; H  J& l1 p( \! I
還有電容也要加
) k' ]1 t! S9 Q0 g若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 ~& h( s! j) Z% ~2 j  q$ z
* p1 P4 o# |/ W/ w( V
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) F/ b% v! }* w: Wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% I( ?# z1 \0 w# }

$ P8 [/ E& y0 a$ X& h
! @+ [0 l3 F4 h9 ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( Q; g$ T! g5 W7 |, P

( X+ [4 t0 Q2 U# T9 l0 f如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 h; v. t7 _. f4 d( E1 K
$ t7 ]+ w' ~5 R/ Y9 E! m  f數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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