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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ K& |! u' Z. j% P

( o1 Q# F5 C) ^3 G8 \3 h: @poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 ]' A% `+ t3 G, R3 ]  ?
大部分是要match; u, I! D/ i2 {1 m$ W+ B
Metal poly  density  不夠
+ R" a& c3 k3 P4 a加ㄉ那些也較 DUMMY
: S5 M6 [* m! R* r/ ?3 X# v把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 N! P% P. c; s( h
* F! @! n; a- o# N1 Y
: r+ v! Z3 ~% _; j% o5 q4 i
    感謝樓上的大大! T1 h0 i- u7 T- ]. k5 f0 O
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 t% f. h& ]! d5 M/ O  b; b: X2 i& k' ?# G. ?2 a8 w. u

# j4 S2 X7 c  B  I) [! j    感謝您回覆的這麼的詳細. W3 [2 z+ _) l
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# d( L6 G- M  M  i  P  V1 H
# @9 N# [4 Z% |2 ?
不過簡單來說( w1 ~1 J  \! z5 i% @: z
在製程時食刻會破壞掉你的元件) o) r& @- O5 _& W( k
而特性就被損壞
) F( W" t) B& Y# D% O7 b& f
, l2 G/ p) ]  g4 H若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* X2 a7 m1 H6 O, L3 Q( q: U, ^
所以蝕刻吃他最多
( l: N% N( K. \7 I主要部份特性就不會被破壞
4 r8 w+ r6 b8 B9 T" h( b3 p3 k/ z+ x3 G3 J# `% k5 a/ y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ s9 [' Z- A1 F2 Q6 I+ l. L4 D
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% O" |. ]1 t8 I$ m- u: D/ c8 N# B) \  U) X
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ F  v- |: w3 d# b# [
還有電容也要加
9 d6 x/ x. w0 ?0 m# j& q8 J若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* W, X& K5 \8 b1 a7 i( M$ Y" n$ E! o; |" h# g& S- ]& A
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 M# ]' R! a: R
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 d( ?6 D* Z" D, C$ P& w

' e, m( W: }! v
8 N: _6 F& K3 L3 E% F    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 w& A2 w% G: L2 `3 Y5 M( \' Y7 ^/ U1 g, I) r: M2 Y7 s
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; N7 V0 a" A  A2 m! R: ~; R- ^4 v6 V* d
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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