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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: H* ]5 C3 a5 k" B, s' o) C

7 z# V  j6 N2 j8 P+ Z- vpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" i# J( h1 B3 t5 f6 q( \
大部分是要match6 C9 K6 R, W4 q+ ?
Metal poly  density  不夠
4 `! R) F( D# i& Y9 r( X加ㄉ那些也較 DUMMY
4 X  }" \0 u1 ]4 l0 @7 d* d: v3 i把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 n) N- \8 S9 K' d

1 U* ~6 B; J; d; _; |* s. `: W1 b6 N6 ?- v# Q/ p
    感謝樓上的大大* W4 o  }2 }. A6 \  H: i
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & ^7 ]* _# I  E3 N9 L0 m" W
0 b3 u6 U: |, c3 p& G$ S

0 q& Q' A- s2 n" L# Q) y0 ^' Q/ M    感謝您回覆的這麼的詳細
  r' s/ h# S; P: C% ~; i您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% U0 ?0 t+ g3 ^+ _# y0 v
4 H' C4 Z# M8 `0 N! V" Y8 l+ c# i- L不過簡單來說' U, l$ W, G! D8 o! J
在製程時食刻會破壞掉你的元件
" M8 W( k7 q! O+ a而特性就被損壞
0 ^* |* B% z- q' b9 L# G
  B- b5 g% |- y# R若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 R7 @- u8 |) ]9 e/ t
所以蝕刻吃他最多
, a" l  |" K# W. a' e2 m& i6 b主要部份特性就不會被破壞
1 J7 ~% s& `- H+ \; o) L3 @/ r2 w$ \+ C: ?
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 Y# \5 D8 [" i# Q6 {, K3 I所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 y$ E: Q% m' O/ x* u* f8 o  ~  P- U3 M, G) ]% l, e' _
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 H7 e* O( {$ r- _5 Y
還有電容也要加
8 q- _$ z" z( K: x5 D2 j若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. Q0 ^( I/ J3 y/ d
% ?7 u$ N. a& p' X- J4 i5 h
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: ?' n3 [) {: b+ @% s; Tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 v& J; X; ^8 a. L& o  c6 R

9 W: z& v3 U2 t5 O# E; o" R" `: O: k$ _" K
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. N$ `, l4 r1 F* ~2 q! L) N

4 m7 G9 D/ w, W0 m5 e! {* T# e如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 _/ h! J/ j3 e: U$ a5 z1 y9 H# y0 F' T" Q; n
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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