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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" x! f' k8 y* `4 Y' q- o6 Y
4 G5 {! I# |# `: f. H
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 _, M, u' B5 P! H大部分是要match
" Z) f/ i6 ?* Q& A- YMetal poly  density  不夠  E& d9 _; W8 F9 P! j! ?# e" I' x# `
加ㄉ那些也較 DUMMY 0 m. V5 s( k9 O7 A$ X: b9 V4 P& F- E
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 Z$ a9 q; t" j& {6 B: Y7 E* d+ \

, y/ K' R+ R' Q- v
( R* F4 H& ^3 M8 U: _  P$ o0 ~# x( v    感謝樓上的大大" A3 q% I; H* j  {& r
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 $ o# H% X/ G* y
9 d. U1 s) G; x, {& [0 w3 w

0 W: O% J; G8 }' k: ~# [    感謝您回覆的這麼的詳細' k+ _! z& N, T
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. q) K$ H/ E$ o3 [4 x" d$ q& P$ f+ y7 V" M( O, O
不過簡單來說4 |# b3 z, r' h% J% B
在製程時食刻會破壞掉你的元件
! H2 O5 _. m6 l  @) U+ ~而特性就被損壞
. H9 R8 J4 [$ M6 n* T# O" i
! d0 |4 y6 V# x3 D. W" u3 W0 j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 M' R3 o9 f3 G, y& @' j& W所以蝕刻吃他最多; C/ y6 n  H* @9 x" D& h$ r
主要部份特性就不會被破壞' w* H/ K2 k$ |$ W: ~

( Z0 F! K8 `# s- r# y. S- H很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 u4 x. W0 ]* v5 W所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: E8 d1 u5 v" ~: K5 D* N" M+ b+ K
( R0 M" s( M5 W/ K8 w5 o又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 X0 [) k1 k5 w, B/ v7 E) N! g
還有電容也要加, `2 Z. v5 m( D4 E6 x+ S$ e
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 O" C  w8 R; b/ j
' b' T) g0 N$ m$ Oand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
0 P0 e, p4 r. H+ J7 O# g, Uvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* v0 l7 W7 Q7 g3 W8 U; _- I  g

0 n/ j3 [  o  |% P, M5 k  L$ O' i; _2 W4 P7 c* c: o; W
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* |# O! Z" v6 v6 o' D% F- U4 A' b+ p5 i' V. ^/ e
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" H' z1 ]  K( m: S, t

9 ]4 p- \6 d4 U6 x% D! y數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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