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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. Z, H" W* U( |! i; S/ T7 H/ F+ j( C  P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
* w$ G4 m, u! u- H# [7 a) c$ S大部分是要match, u) g+ D8 x1 R
Metal poly  density  不夠+ F; C/ D# M. l3 C$ ]
加ㄉ那些也較 DUMMY % F) l$ I+ X, y0 Z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
8 p6 z' ~' X8 @  E  j- Z3 K+ b2 S9 c4 ^8 i
" v: Z" L0 X! }$ }9 B" T
    感謝樓上的大大6 i" X) t" `  p+ T+ V* B
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 H  y4 Y# j' `- ^' ]4 i$ D
! V/ @) a5 i* C- r" O
' G3 O- ~  i0 O0 e- T; z7 u  H
    感謝您回覆的這麼的詳細
) C+ ?- b! a9 Y& u您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* o6 B9 d5 ~1 [# `/ J, ~& K, W/ ~

. P2 Z$ |9 m& Y6 I5 v2 K不過簡單來說
: ^3 _# p; {. r+ N/ }; v7 w在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 Z6 M0 [& }! B( c( G而特性就被損壞# n* ^1 B/ G; W( p, |2 f
8 y: |* E9 N1 n
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 J* c6 H' K$ N/ k) F4 o
所以蝕刻吃他最多, y: Q; y8 u; ~9 j0 D" n2 }6 o
主要部份特性就不會被破壞5 b  Z5 A7 Y* p& H6 X$ O$ V1 U

- o# |8 U/ U/ {, i2 e7 b很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( @- n3 y6 v- d' T: @( S  V
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, Q/ q% l' a2 C5 A+ A/ n- d# s) B$ t* V" c2 y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- c$ _5 S. S( F' V9 b. \$ U還有電容也要加
! `' Y" Q1 _1 D: l3 P1 d若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) b8 Q! \% o+ H1 F* L1 t" h; U8 n5 w# |$ g/ }
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 K  {/ r2 z3 @9 L% T
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ }1 _; Y) t' `# R5 h; Z) b/ b' m9 w( }1 I& h$ f& d8 |7 t5 f
, P$ n( \- B- F# ^/ C$ u
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??) ^! x3 d9 e* A6 H! i4 Z! x- Z4 Z

- P7 ?) O1 R3 R( J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- Z9 w( P& W+ y+ s& f1 G+ m

7 Y% t/ {* N; K$ i% Q( w! Y數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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