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因為 floating gate 電子越來越少 一點點的干擾就可引起讀取失敗
& D7 }7 b( v' k7 j1 j* o$ Jfloating gate 電容 ~ 1fF
9 n; p$ }5 F5 W* \一個準位的電壓 = 3v - v) B$ L6 r7 w2 Y- |$ y/ ^5 j, A
Q=CV = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
7 Q- g+ T4 ?* D) P一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
9 S& g# x/ m% t8 u+ }6 o+ V2 wfloating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4 個電子' G; L! Z& C3 ~4 w) w5 u2 B
如果偏移了 10% , sense 可能就 failed , * J) ]* Y% G1 w& ?& K4 z; [
讀取限制在 100k 次 , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到 1.9x10^4x0.1/10^39 F o+ @2 l4 j2 w2 T
1.9 個電子以下 , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us : f! W* f% N0 l7 a6 m4 a( M
i= dQ/dt ~ 1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6) ~ 3 x 10 ^-14 A = 0.03 pA 7 o# P0 g! l2 F0 v' J
nand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
3 ?1 Q6 a& K) V x" }# |+ p只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補 R0 U; F. `5 l. O
可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰 科大文化出版 一書 |
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