有個FLASH的問題

dysyase

[20奈米NAND Flash大戰引爆　三星、美光、東芝全面較勁]
這是今天再網路上看到的一篇新聞~亂轉不太好所以就沒轉上來了~
我的問題是~之前~45的時候不是說~會有讀取次數減少的問題嗎~那~20不就更慘~為何製程縮小會造成~讀取次數減少的問題~

Nobody

因為 floating gate 電子越來越少   一點點的干擾就可引起讀取失敗
4 M4 A: |! c+ b# Yfloating gate 電容 ~  1fF  
一個準位的電壓 = 3v
Q=CV  = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
6 E+ S" A- N9 [; R; Y一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
* }8 x8 V1 N/ R) N4 C7 ^+ V% Zfloating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4   個電子
/ ]4 L2 r8 a% L& u" u1 }% V8 q如果偏移了 10%   , sense 可能就 failed   ,  
讀取限制在 100k 次  , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到  1.9x10^4x0.1/10^3
! {: O. Z- B- ^" f3 C1.9 個電子以下   , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us  
i= dQ/dt ~  1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6)  ~   3 x 10 ^-14 A  = 0.03 pA  
nand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
' K; m7 ]" u- P+ o只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補
可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰  科大文化出版 一書

likc

Very Good!! Thanks for professional answer.