關於用MOS做的電容

tommy01

會先把S,D端相連,要形成電容必須有上下極版及中間介質
" y  l1 G+ w$ @) H4 ~若是NMOS電容:上極版是G端,中間介質是薄氧化層,下極版是P-sub嗎?

motofatfat

下極版是P-sub嗎?
5 d6 i6 P* D# f, t應該不是 下極版應該是 薄氧化層
5 C4 Y+ _, A% ?* w; e/ SS, D 相連就變同一塊ㄌ

tommy01

我剛有再去翻書看一下
下極版好像是通道
而薄氧化層是型成電容之間的介質
表示要做MOS電容,上極版電壓要比S,D電壓高出Vth
7 A' O( }7 K0 K9 C才能做出嗎???

bernie820

不是p_sub喔!!

. G  J; H6 C+ c' X) k! J* G: H是通道形成後和上面的絕緣處形成一空間
' t# b& C' j$ j7 e
" U% K( T$ A! K; c" @就如同電容一樣!!

tommy01

再請問一下
若是跟通道形成的,不是會有三種情形
1,通道未型成時
. K" h, s. k# g7 R2,三極管區
# y, h7 L9 F; \- F- K5 j5 A3,飽和區
0 z1 |( ]% T0 w0 \. J# F3 K; y此三種的L好像都不一樣?

yuany

过来看看~~~学习一下

dizzy

如果接在G上面的訊號電壓大于Vth時，NMOS工作在飽和區
, m6 R% C4 W  i% J這個時候下極板應該是gate下方的反型層吧

L_ju

. z3 O' c% n1 |+ h, i5 M& kmos电容显出较强的电压控制特性，图显示的是nmos作为电容世道容值曲线图，当gate相对于衬底为负电压的时候，多子被吸引到上面（氧化层下）形成积累层，在积累区工作状态下的nmos电容容值只有氧化层电介质决定，,(注：其实就是由两极板间的电解质面积和电学性质决定的，这就是本征电容C本)
当gate相对于衬底正电压时，多子被排斥开表面，耗尽层形成了，随着电压差的加大，耗尽区越宽，容值也降低，一直到电压差等于阈值电压时，少子会被吸引到表面形成反型层，随着电压差的进一步增大，仅仅增加的是少子的浓度，而不会增加耗尽层的宽度，容值等于C本的20％左右。
以上分析仅仅是s和d diffusion 不存在或者没被连接到衬底的情况，如果s和d 存在并且连到衬底，那么这个mos电容就有点复杂了，一旦强反型形成，一个导电通道short了s和d，这个通道变成了电容的下极板，容值又升到和C本 一样大了。
' T0 \+ N* N8 @5 c3 w) UMos电容一般应该设计让他工作在远离阈值电压中心以外，如果device工作在积累区，没必要接s和d diffusion，如果device工作在反型区，想达到满电容就必须把它们和衬底连一起，

tommy01

謝謝這位大大的解說,還有付圖片,讓我更了解了

iamif520

Good job~ Nice talking~ thank you~

L_ju

所以做mos电容应该一端接poly,另一端接source-drain-pickup这3点就保险了,这样就得到如图中所示的"v"型曲线,如不接source-drain,就是如图所示的"Z"型曲线.

dysyase

但是~這種電容~不會很吃製程嗎~~~如果製程飄移的話~不就趴了~~
所以~需要準確的電容時~~還是可以用嗎~~

pph_cq

如果一端接poly，另一端接source-drain（没有和pickup接在一起），会是什么情况，会有满电容吗？

shmiyi

用GATE和DIFF之間的通道作電容特性用

chriskomh

這種用N/PMOS做的電容好像誤差比較大
* L4 m. ^, L, c9 ~8 B' g" N% @小弟在這篇也了解不少事情XD

semico_ljj

下极板是反型层或者是积累层！

semico_ljj

也就是说MOS Cap 不是工作在耗尽区就是积累区！

ma530214

過來看看~~~學習一下undefined

111222ak

過來看看~~~學習一下