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! t V: G+ |& q0 w/ T! Q, Tmos电容显出较强的电压控制特性,图显示的是nmos作为电容世道容值曲线图,当gate相对于衬底为负电压的时候,多子被吸引到上面(氧化层下)形成积累层,在积累区工作状态下的nmos电容容值只有氧化层电介质决定,,(注:其实就是由两极板间的电解质面积和电学性质决定的,这就是本征电容C本)4 b7 P3 P" o& Q( [% C) ?4 H
当gate相对于衬底正电压时,多子被排斥开表面,耗尽层形成了,随着电压差的加大,耗尽区越宽,容值也降低,一直到电压差等于阈值电压时,少子会被吸引到表面形成反型层,随着电压差的进一步增大,仅仅增加的是少子的浓度,而不会增加耗尽层的宽度,容值等于C本的20%左右。
) \) L: k9 n6 O0 j, f: X8 p& o, E; |以上分析仅仅是s和d diffusion 不存在或者没被连接到衬底的情况,如果s和d 存在并且连到衬底,那么这个mos电容就有点复杂了,一旦强反型形成,一个导电通道short了s和d,这个通道变成了电容的下极板,容值又升到和C本 一样大了。
?0 A, v0 i& S3 nMos电容一般应该设计让他工作在远离阈值电压中心以外,如果device工作在积累区,没必要接s和d diffusion,如果device工作在反型区,想达到满电容就必须把它们和衬底连一起, |
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