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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=4 W. c0 o5 a/ w' V$ K. S
然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了 & B5 Y+ z. z# y( ~* g
所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫
  X8 M" {+ d; y9 ^  h話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容 $ o" m2 y  i+ c

5 a$ u+ v6 R4 D) f) k我附上我最後的布局圖 請各位多指教
* d* q' r/ ?, [" m& S+ }

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀...8 L% ~! e" k0 s
在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容  p$ z9 T0 v" ]' p  S; e
否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)
  V5 w0 c1 f9 z不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦)
% H2 K& W& U0 b" y9 ^3 V9 m因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積
  D; R* z' O) ~( ?不過我沒看到電路
& O) Z9 ]! ]) G/ S8 _) j所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a)
4 \0 l4 I# A; H6 A# o3 q
$ V1 M: d1 a+ f+ `" V/ \* Q若你用平行板的電容外圍要加保護環!!4 j3 d$ o4 k  y$ d* F! O) N. v: b
3 s# C: h( Y  L. ?. q* |
我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層
/ p! A* a+ R1 U3 Z% ]/ [金屬層四邊要去角避免電荷積聚
* u7 G# G& z+ V2 d. \, e然後想像一下電容的樣子7 t8 G2 a$ E% B% j
一定會有接點接出去  |# W& s# d* ~. a9 ~
所以或用via 或contact接出去
1 B' a5 \# a0 `但最大問題一定是w/l 要去算一下. c  R3 ^) d; e. z
, I4 p, W( @, v& J6 g
你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值& C8 t0 ~# D7 C, `
通常會有一些些些誤差!(很難完全準)- I$ G4 X0 N4 T- u
5 l$ v- I) j; ?9 Y4 j' i8 }
打的好累= =zzz
% @. R: V0 |9 A! [  O7 ]+ }! M$ `多去網路上看看吧~5 s0 e) x' d) I& |. }
製程文件也一定有教
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2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他
, b- f" M" A$ y* a# |) S8 a
* y  C$ }7 A6 x  p$ f: X# N爬一下文 應該有相關資料
( D( U$ V2 n: y1 p/ n7 |2 Q8 u8 `. M, p$ J7 h- x
面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM/ F: G' Q1 f5 U# a5 k/ _, a- t- L
所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣
3 o, F0 B- s, u) z1 y可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西
- c  C+ z8 G# t! a$ q% t0 }# E這是RULE給的電容值算法
4 }8 o* T5 m$ e/ T1 fCa = 1e-3         // F/M^2
, t  z; I3 Q& J% ]Cf = 7.5e-11      // F/M
( M3 J( W( |: M( Y* WC = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C) 0 F, D) S# q$ ]& X& w# }+ {

7 x& Y. ?& y9 D6 n) a論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!$ ~2 p4 Y2 i: h1 N1 t: k8 V  S
: l( ~. R8 `9 M% b
我大概有看過題目但我不是參賽者!
3 T  ~9 ?/ W+ ^; _% b2 X) F' w0 M* D& q, y
電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)
& N. P; X+ `8 I( i, z+ V" p& m, q) f' ]% [$ M, a! x$ b1 L$ P' ~8 Y6 G
數位積體電路可以用mos來等效一顆電容
3 `; l% b& E2 S  F+ E, \8 V2 d7 C$ _  [
也就是將s和d極短路而g極連接出去
1 H3 |+ H1 c7 l; d
; U" m" ~  x3 W" n8 r$ Z這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容
3 N. G5 c% a. U  L8 A9 l/ A& p: |4 [6 x% j* v
w/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值- k8 j% x0 _3 H/ y& h3 O

! \  E. k5 R: e7 b不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!/ ?% e& H. k3 n9 s7 Z; T% `: v1 z9 ]

9 O) d3 S* w! H6 w& o/ R當然~mos也可以等效成電組^^
5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組+ U; `/ e5 j1 k: A$ e1 h5 ~
看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY & b- L6 K" K: S. ]* V
畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容1 V; g7 G* m8 Q( \9 |6 \
然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字
' _& V/ O! n% T$ ]2 yc. MIM Capacitor :
4 b( R- @! Z$ r4 V. G$ n. ~4 z  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)
" C2 Y, \  f# L就沒了
4 O# J9 Q% t( o1 F- k/ ^所以好像沒辦法把MOS當電容
: Q$ y7 [, _0 @/ R+ g, h順便附上我看講義上的電容畫法是否正確
& U: \" a' M! ~7 ?6 n! e

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7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯
, Y' n' d6 {+ {& e, G8 ^2 H/ q- A/ E2 u  d, Y# }6 o5 {5 c
清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了
. u8 M; z6 J0 a( @& o* f7 V星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺
3 f* a3 w# Q; j# j- u星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的 3 a8 m" ~' [) E
索性做一個試算表好了 也比較好找電容值 ; F8 U3 Q; b" v  l8 h8 c
做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法
. M! ^, {& i0 T4 F; X4 Q: N反正DRC/LVS過就好啦
. o. x% ?2 _( v2 K8 A樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用& D, \: U6 M1 Q3 P+ V
cadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容9 X) Z% F# N+ l* G! l
MOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向
& m% Y0 o1 |( @7 H& p  b8 Q4 U+ j! U9 n5 i/ m- S+ H
不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數
6 P+ t3 R: @) j8 h& c8 ?, a) C8 ?& Z+ w* P
最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確
* Z( X7 ^3 ?1 p
3 ]8 h& A2 z4 ]" b2 H, u& i順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧
2 V, e2 t2 P2 p- c' ^! {( ?

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8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^; K+ n. e( r+ ~- ~- S* J6 R* k9 ?2 l

5 H' L# U( ^$ C2 L7 n不過看你得電路畫法
3 L/ M* t$ D, q1 m9 s3 L" U: \; Y. @$ C3 a
感覺像是數位電路
0 U! g+ s8 o0 R% A. x' S! y
  y. V3 J3 M# {/ m/ h" T2 k% ^5 `% n" Sp在上n在下! @0 E" l5 E9 T- K
% u+ I. A% _9 g/ b7 Z5 P
呵!
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
5 n, h) K7 e; t" ~  Z# t) E画两个大的MOS管就好啦 fingers=23 v/ r, G5 v" B
比你那样好看多了
$ y# D- i8 J* ?3 n/ m$ d9 j  ?
- [$ C- C1 G5 i- G' [- U
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長
3 B# o6 H& Z1 V他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡
$ L% ?) T% ]5 O其他種類電容都沒在design rule裡面
/ \8 K/ `8 i* ?+ v2 r, R所以其他方法都無法通過驗證
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔1 D* ^  {& r+ S4 L) b
那就很有可能!!!
% H( g% t  U- ]$ ^+ P8 b  p# S  H8 X
' z. v( i, K5 _$ l; d你說的design rule 過不了
7 Z8 [1 `! r9 E' `( f我想你是說在cadence 中是用MIM電容
/ g4 ^/ `1 r# s0 h但佈局卻是用MOS等效電容
0 J! V% n8 y- g  H
; F, r2 V+ U2 k9 O# M8 O5 G這樣是一定沒辦法過的!!
6 G/ u: e  ?; d) g- v. D( p* e4 @" k  o6 i3 P
但是...如果在cadence中就用mos等效電容1 \2 L" I+ \: `
那這樣還是可以過的!!
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫....6 Q% s0 a8 k  {
那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...
; V4 U, b7 N- i5 P7 O該不會是叫一個NMOS或PMOS& D+ O8 G: n/ _" A# `5 |5 y
然後再把S端D端相接
* G! _" e" ~* [; O5 C; F2 R; U* R在去算他的L、W、Cox?
13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama
; ^0 K/ a+ _) ]
3 k( `6 T* ]5 s# q8 F, z2 E# Q$ J% E
    請問您這次比賽所使用的process是...
7 R! G3 i. T% F2 W如果可能的話可以寄LVS command file給我
0 Z. s; K* u6 L+ F- r3 g我幫您看看是哪邊出問題
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