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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=
1 U8 ]9 d# T# l1 X1 X然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了
% M, D0 d! C) M7 n7 c, C+ c所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫
5 @" o4 q0 s( j話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容
  a2 Y. t/ S" ^
% s# t  K! [: B/ F( g& S- K我附上我最後的布局圖 請各位多指教
$ X0 s6 ]( O# x/ s8 R" l: p

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀..." _1 Y0 \& I9 c* o! z5 G; W
在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容
5 ~2 s' u, z' n4 a否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)
- |' i4 O& D& y0 c; z不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦)1 C7 g7 {8 M. q5 d& R6 _
因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積; N1 _! @( e' M5 j- a* T
不過我沒看到電路) I$ \/ K! e' k9 c- m2 E
所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a)
& b- M% z% z( S; g' f0 f; b5 _6 C8 }& t' Q8 ]9 z
若你用平行板的電容外圍要加保護環!!  x: m* w; v, B( ~9 J5 a6 q
+ r9 C5 W& i$ M; a) _' Q. U: v
我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層, c& y# Y9 y* \: I2 F' D% Q3 s; H
金屬層四邊要去角避免電荷積聚
- A! d. _+ J+ [! A6 [% d然後想像一下電容的樣子
% ]( z+ g7 p7 [4 p一定會有接點接出去" W: N' C; d4 l% B. y. g" R5 Q
所以或用via 或contact接出去
2 f  ~  D5 _2 B0 G4 e* D/ `但最大問題一定是w/l 要去算一下
* [8 K+ }  c/ y  B; ]  B' ~9 O) r2 P& B2 j; c  P4 I& X+ S. o1 k, f5 w) C
你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值
. I" Z* \. D! H/ j通常會有一些些些誤差!(很難完全準)
; i! e' X/ L; ?# d; z
5 |1 F* ], p# z: D打的好累= =zzz7 u: x7 L0 Q( X% ^
多去網路上看看吧~
) ~" C( Z) R7 _製程文件也一定有教
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2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他
3 h( R+ T$ ]  M1 F0 q* D
% `8 ?& a$ Q: I! n* q爬一下文 應該有相關資料
/ S% d* J' h. ?7 T% \" H- V
" h7 a8 N5 _8 x3 t1 F3 l; g面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM; p- {2 x3 E% g1 O' |% N
所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣  B! P8 J4 T2 e: z2 ?& t; T9 \5 }
可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西
2 ?* F  P2 p! ~3 r( o0 {: w% q這是RULE給的電容值算法& {2 J, Q% S% s! L, N# ~3 x7 h  F! @
Ca = 1e-3         // F/M^2
, L$ _; ~7 |7 ]- ?' `( c' ?4 CCf = 7.5e-11      // F/M
1 s' y* d" p' o) HC = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C)
& ~+ L( J, {+ _/ A+ I( K0 Z9 A* C) q5 {
論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!
: j2 s$ ^, Z+ k0 e( y" A9 `' g2 [* K3 o* }7 c! Q5 }& d
我大概有看過題目但我不是參賽者!, t( E  F. k6 _, r9 b- j" x
2 J9 w6 x% c% o
電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)
! z0 U2 B6 j' S* z
/ W, l8 a0 M9 X" J1 b$ {' o數位積體電路可以用mos來等效一顆電容
& {7 n2 R1 }" b( E7 {6 I6 f7 S
! u: a, o# s; {: _" l1 r$ A4 n也就是將s和d極短路而g極連接出去
" P( l, I, j2 \
# q# l- H% C6 o. S/ G" [  a5 Y* ]這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容9 p  v: L6 X) H" ?7 m% G
- }5 v% `. Z+ y4 Q* L0 n: B; Q
w/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值0 ], w3 \( q& ?+ T2 _4 r6 B
7 u6 b# h* x/ S
不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!
$ T. s/ I& y. g7 k. ?* C8 q  c: c, d* }: x
當然~mos也可以等效成電組^^
5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組0 i$ m4 S1 Z+ V% Z9 ~1 ]
看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY 9 Z+ |' ~. D0 w& C9 M* @
畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容
( S# W4 \0 N  X然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字
! e4 W5 `) \- j4 u. z4 u, p, C6 xc. MIM Capacitor :# @8 ]; e- L, Z7 O
  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)
& h2 c4 U+ i. O. E8 c就沒了. @* g, I2 @( i3 n
所以好像沒辦法把MOS當電容  j6 L7 M( h% D! @3 b
順便附上我看講義上的電容畫法是否正確
- u- Q8 I2 w5 V# S0 V

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7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯 5 C1 t9 u4 K7 k
& s& K1 H: P' T# y8 z
清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了 5 ?* w, X, W  s2 V
星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺 8 I0 ?  |2 ^  e8 F) ~) k3 T
星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的 2 D$ N6 P. a" ?) g9 ~8 [8 d/ C. p
索性做一個試算表好了 也比較好找電容值 1 ~" g4 d; ]" D8 I
做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法 - |1 U$ k3 k2 U
反正DRC/LVS過就好啦
6 P+ {/ k; J, Q. [  c) `& t樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用' O, |$ I9 Q/ [0 h0 T9 {; ^3 S
cadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容
! ]0 Y0 Y8 }& ?* o  v3 I4 mMOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向
: u( g. G; \4 F! n9 m: M
" G5 Y3 {# R$ P( J" Y- f不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數 8 R& |, q/ ^2 u: v; B  l1 l' e5 U/ N
/ a& [% Y5 H! L1 t( _8 a
最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確
+ X$ B# S  k% z; P9 N6 W+ U
6 L; G6 X1 v! a0 f1 @3 I- c順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧
  B, h! G* N, d7 {7 l# o5 A

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8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^
2 `, Z: }" G4 I1 z7 r' U7 `5 G+ o( r6 A" w
不過看你得電路畫法) e' |. k( O4 s" N+ n
6 e- ~4 e+ m  t# c: Q
感覺像是數位電路' F8 k9 h  H! k4 b6 E5 p

+ K9 Q: s7 D" y* zp在上n在下
/ ]/ Z- q. S: w7 p7 S: W7 g  {. X, o6 o2 \' E4 h( q
呵!
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
! |$ T% I. C) O  x6 Z画两个大的MOS管就好啦 fingers=2  K2 s8 d7 s  M6 _& |. W
比你那样好看多了
' D. k, x# Q* U; j. \8 c1 j' T
- @+ u& ~  o: Q3 O  ~7 o% C0 Y( e
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長
2 Z9 u( b, @0 |- ?2 ], @他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡
& R" T; N! \  O$ ]4 B其他種類電容都沒在design rule裡面. ?& v/ O9 Z4 l9 q# R5 g% u
所以其他方法都無法通過驗證
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔* n2 h+ A$ x' |7 J: S
那就很有可能!!!
" Q' G" x  A6 S' H3 |& h5 _& k7 k) L
你說的design rule 過不了
: ~* @* @6 `' ~/ {0 \我想你是說在cadence 中是用MIM電容$ Q% i7 K( O5 ]& p' y; V
但佈局卻是用MOS等效電容) e: u, @& |( p. g
! V# r0 V5 A5 N% ]6 Q( P; ^% K: P5 H
這樣是一定沒辦法過的!!3 _# B: t) m4 p& \9 N* {+ [& j8 j- \, m

' c/ }1 r  Q0 `0 W) H+ e3 @2 V但是...如果在cadence中就用mos等效電容
! z9 b- W6 y1 Z4 r# U' ^那這樣還是可以過的!!
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫....
. V' Z. t/ Z. q0 ^& _& c9 t  H那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...# D- o3 k& N/ |. k
該不會是叫一個NMOS或PMOS: w) X% p/ g+ _- B6 g
然後再把S端D端相接8 E& c% Q+ N$ _' |# B% w5 @2 B
在去算他的L、W、Cox?
13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama
2 l" T  t) o, K8 q% |. u( m# b$ w3 g
6 H$ m: o$ Q5 p& v7 v( C; @' A7 i' K" ?8 J; F2 W) i; I! j. `. I* W
    請問您這次比賽所使用的process是...! W6 b0 Z" t0 I. l/ L$ G
如果可能的話可以寄LVS command file給我
* e) }! S% Q. z5 D2 e我幫您看看是哪邊出問題
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