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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
+ f- X/ }) [! ]- ~' a0 [" E6 r0 [# y7 W0 P* J( i8 d8 ~
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,( J& [5 W, j3 F: {0 S: \
. S# C. u6 ?+ X* o
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
3 h4 C. i$ B! r2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

" L( g7 b8 O5 G( R# L' t3 i( F5 i9 U
' J6 t6 @7 A4 m5 G$ X電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
/ O9 [1 H' N$ p6 G- e, [* R/ a標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)5 K: i0 p, f. d$ B) M- g3 m
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
9 r! p8 c+ d. t* m' ?) o在理想的switch中,輸出訊號正常。
0 R9 y, z0 T+ w' ]* m! o/ d. D7 ?在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。& Y0 K8 y7 E' U! |# m& V
取樣電容大概=400f F左右。. }% ]2 F* e! q9 H
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)1 t7 d& C- v0 h9 L+ J
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
* W* d9 @. ^( c7 ?4 S4 Z; Z4 C7 s3 [" I! \7 p  d6 e, y

- K" A, K6 O9 h0 x6 \    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid - k7 H) _8 a) M+ U  _) J
4 i! B9 ^' l5 ]) K
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
; a3 A4 Z# d5 T) Y: u6 @4 U這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形+ W' V9 M% u2 D# v" s
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值
1 C- P( ~3 P" {6 X+ _- J! [列成一個表8 O. n- ~# S& m& g# ^) W
之後看表拿進去套用即可, u3 ?  @4 y6 q# B
此外此電路SH電容不大
# b* [, p3 {. F* a0 ?/ ^會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 6 d5 F$ J! L+ A
% V2 E( {8 w+ v; ^+ E$ l
8 |' w, a% D' w% b) ?: {* v
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?# |) I! V) U" M) V! v4 n, o  a
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,9 g8 J* R# J7 _! s% M
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,- h* ~' N5 P) a8 b& w
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
) W% B. ?5 r2 C0 q' l看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,! E5 J$ e1 H3 f3 e; X% `
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??9 h7 t& g) [; D3 `' \+ W
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,/ Y: g# L# G: _/ E
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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