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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,1 M( {' O/ Z* g3 y' y
. r  n6 s. ~% l8 Y6 B
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後," ^- Y7 s8 _* E

7 B/ K  Z" B, x8 @NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。# x7 A4 B. T- r6 ^0 I% M
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

. u. g2 [8 M  S1 H, F% m* n
) C# w9 t8 i) \電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,4 v- G: G. d9 T
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
, r% s3 c' k. B8 F" M0 j; Q# z8 o輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
8 I; \' E1 Y9 j, R6 {在理想的switch中,輸出訊號正常。6 C. i# d/ d3 K. T& _2 Y2 G
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。: \) @! i! {7 Z' ?6 N
取樣電容大概=400f F左右。
, C" e- X2 ~6 o先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差), Y# U- \/ f) {$ c' Q1 y
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
6 @  w) R! G: y& c3 W  M# h9 t0 @! Y' I% S
8 q; O9 o4 d6 r2 V' a
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid , Z$ v5 K4 H0 S8 L
5 |0 Y* Q2 X2 l- e1 e
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖" z* A8 N9 x1 r4 ?2 k" w
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形3 r0 z' |6 Y+ i
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值( i4 o8 @1 O6 K5 C) L3 U2 H& B1 o5 L: O
列成一個表
8 `! D, q& F! v' S% \之後看表拿進去套用即可& @( j9 H& v  O
此外此電路SH電容不大
* Y- G% {0 ]* K5 R3 t. q1 k1 \會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
$ v& ~" q$ |. e, O& t9 c; j2 [$ _! D4 G( ^2 S; v4 G
0 O1 x- B( @3 e$ {- G) M7 ~
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?) d- d3 Y* D! `7 V! ]- A" N
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
9 v0 _. \6 h1 T% P7 R3 Y在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,/ e8 w2 _/ F+ h# U0 K  Q% u4 f! ^
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
5 O" B3 c6 P  _2 M$ f看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
" p% @% D8 Y3 O% I( R. i) {建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
: V7 w3 u0 s  k' Y' ^, d- g, P  ]前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,5 P8 Z8 B+ a2 C1 x- G0 p4 _( K
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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