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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,9 r8 f5 `6 J9 z

% _4 v9 X/ I' A4 K; c懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
) H9 ]' C, K1 G5 X$ C# I5 s) r. ^, g2 M+ ~0 P
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
, {# U3 i9 V" k! \" l2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

& o  `. Y' c+ Z& w1 Q" W7 _: r; `* p" }" ]1 P
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路," k7 {6 ^. R8 a- X! [7 X( q
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)( F7 V) T6 k& w9 t1 E8 j
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)) s: X% f# ?1 F- E, u
在理想的switch中,輸出訊號正常。' A% T% l% ]7 v2 E- E
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。# o3 S" k6 I* s+ @
取樣電容大概=400f F左右。
" b  O9 M  x* Y/ p1 P, {5 U9 ?先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)8 s. A9 K3 ]3 o! m- z" L0 S3 I
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 5 D/ {1 w  Y/ E. Z

! t  K9 u! @# w: g8 z
' d  v: j- Z0 @3 o- |3 f3 X    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
2 h5 m- |+ B0 _, q) g5 @$ A8 J, B0 Y# e" r
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
9 z0 s9 Z! a2 A2 Z$ c5 X1 s這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形1 Y$ G! [! n: o7 \, h
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值& y( A3 o# ]) c% f+ U3 O' E* m
列成一個表
& w1 C; G( e6 m6 s% w$ d% i之後看表拿進去套用即可1 t- @: s) r2 i$ M
此外此電路SH電容不大
1 N5 {' @: @4 G# V; r9 G$ t; p會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
9 z8 Q' R/ {- r
% \8 q8 q; ~/ x0 y" t! s* X) N: W, ]& i2 W1 ?
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?% G3 v  |' R# P4 d4 |6 s% m* a. [% I, B
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,7 x" C8 \8 R# y/ ?: D$ W# b
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,4 @& Y6 @  c& K/ }8 ^
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!+ ~. g; {( x1 e1 ]2 L1 L* U
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
; e+ G/ {  f# \' [建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??4 j* R/ t" V% D- P  [% {. x6 R
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
9 O* V* R' S, O- v% q% R另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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