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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
) w- Z( o1 O0 N+ V. F5 V; w( u7 D
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
/ O% M3 Z, e7 {2 K; ~
: s) I! J! ?, s3 p; U( _2 cNMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。5 |' y( E" Y# M) s
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
. t3 E* _* Q( j

( r) c0 \. V0 F+ e( k+ q- m$ Z電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,6 `8 X' [: z4 v9 C" r3 H/ o& v
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)7 A- l* C! k) n6 `, h$ N3 _2 }# N
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
% f. R. ~0 s3 y" j3 L在理想的switch中,輸出訊號正常。
& M: m4 _; o+ D! Z在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。9 C8 t0 \+ ?- D- i! w
取樣電容大概=400f F左右。! h2 D9 [- W9 F( W
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
, J. Q6 L* V9 B2 o2 ~8 E2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
4 I, L. G+ `- J1 |% ~) F" d9 ^! r( q. ~, e% A
3 h. V) `4 {- O% c/ c% J& ~" C
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
" w: r5 N! `! H; R/ N' x7 A' f7 h$ v0 h! g$ v- |; o+ b
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
' i" ?8 x5 @1 ~7 ~& @7 n1 z這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形( Q- L) r) k# D1 q2 w& q
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值- A/ S- l" x" q! @  W' ^; ~' S
列成一個表- }! Q" I$ g) r! n; o
之後看表拿進去套用即可
3 B# q  G- L& _# U0 A此外此電路SH電容不大
1 ~, y5 K( D9 O會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
( \) q. Q# Z5 a5 e3 ], k) @+ l; Q% Y

3 H7 w7 X6 _  w( {: b8 q    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
9 g# y. l: k+ J  q& ~" B由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,! j+ ]5 L, k- }
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
# Y3 [, ^, g2 v6 k5 _0 Z: r一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!( V6 M7 z, l  i. I" }  X5 J) Z
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
1 J3 U* I4 |, j9 k% c6 d; H- d建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??- Y" f! _$ x' S
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
" i9 Y1 D. g  |& p9 I" @3 }4 t另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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