最近所做的系統裡有一部分需要用到& v% Q' d! w' c; \
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POWER DECETOR的電路, z. E4 C: R" ~: s
( [5 t; J( C5 q
但由於之前都是作baseband的電路居多8 _) g( b* _* D# x6 R' ^
* ~, _* a7 l8 |7 r$ h
對這個電路比較不了解 因此主要是仿照PAPER上來模擬8 @. y0 L8 k. [& g( \
; _0 j' T2 P" k) u; w# k E5 a% F
t" W$ @ p4 m% E+ R" G) Y" B. c& d- G * Y1 s4 b/ b0 V& @" H
這是PAPER上的POWER DECETOR電路! [: i6 Y9 Y( ~% c& N9 x
" S5 K, Y+ {0 s2 c
但是我在模擬時候碰到了一個問題
R. Y# L. {8 P8 t, Z
: i" x2 N7 P' @5 `. d% W2 g究竟這個最前端的電容和電感的目的是什麼? H0 j' ~4 r6 H
0 v" M. t. z0 F, E* f9 | `是用作阻抗匹配的嗎? X. v. f2 |9 s
( A' R, T8 ~7 z
另外 這個電路中的POWER DECETEOR UNIT的部分
$ T$ l. i, }8 b& E
& i. S9 G2 V/ e* V, S2 c: o5 z8 N8 D/ A裡面的MOS是應該用RF的MOS還是一般的MOS呢?+ \- d# c% z1 s1 F; [0 c; E: L: S/ i. t
# G' M Q4 L2 v8 l: Z: t
PS PAPER名稱為A Low-Power Ultra-Wideband CMOS Ture RMS Power Detector+ M: w& _% p5 ]( l9 s3 M6 Y
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謝謝各位了 |