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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 請問關於tsmc018製程裡面的pwell
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[問題求助] 請問關於tsmc018製程裡面的pwell

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tshiu
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1#
發表於 2009-10-26 16:11:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL$ l2 R# r% U% t
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎3 R. B  o3 h) Y/ b5 D& v5 r
(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)
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tshiu
2#
 樓主| 發表於 2009-10-26 18:10:57 | 只看該作者
目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序
; p$ A9 ~, l! q3 L7 ^可以增加NMOS的參雜濃度
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3#
發表於 2009-10-27 22:44:59 | 只看該作者
當你sub的電位不一樣時
4 m3 H; E- \2 Z0 @! M6 ^                                                    6 z8 }" i& |" R" z" V
也可以使用！
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4#
發表於 2009-10-29 15:01:52 | 只看該作者
通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…
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5#
發表於 2009-11-11 10:14:45 | 只看該作者
看你ㄉ 製程 決定; e/ N, b  Y) R9 c
通常 T ㄉ  PWELL 光罩 + x2 b% z, f5 O4 S( N4 r4 z& t
都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來( N; |9 R: {7 X# R) C0 R  e
所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　
" T5 ?: f* h7 B% ~" {- D& L和　光罩製程資料) N5 ~8 Y" H" m7 e9 R8 I" O+ w  C
　- e0 i: _! e7 T( C* ^
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程
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