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[問題求助] spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得?

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1#
發表於 2009-9-27 11:59:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟目前使用TSMC .18的model. T+ w, _  f. {3 P
想要找出MOS的μ0、ro、Cox等數據,來設計電流、電壓值# n% |* s# H1 V6 Z
但是卻不知該怎麼從 .l檔案裡面去找出這些數據
3 ~" n) m3 _' U# z( k( @! V+ [/ @, p" U; [! {
目前大概知道μ0就是裡面的U0# R9 i/ c! f" w( A, N
但是ro=va/id,這個va值要怎麼知道呢?
; H: U& k8 @/ A6 }% P, G& m還有Cox=εox/tox,εox的值也不知道怎麼獲得?! b% |3 J6 ?" H$ m

/ u  G- ~$ P* w) y' L3 `有好幾個參數不知道數據是都多少,真的不知道該怎麼設計了...
( p* c  j5 x8 Q3 t. Y電子學的那套計算方式根本沒辦法使用( G- x$ w. L6 e# ~
只能亂tune W和L的值,真的好累 0 |& H& f$ Q+ K' t; e
, d# _9 m. s" }" v3 A
請前輩們指導我一下該怎麼跨出第一步呀
7 j0 L. O, X  v& b' T* A2 ^感恩
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2#
發表於 2009-9-29 00:30:49 | 只看該作者
关于εox,这是sio2的介电率 其值可通过计算得到,为sio2的相对介电常数*真空介电率 所以这个值基本是个固定值# G  {" h; o6 C9 T
tox可通过查看制程文件得到。: z$ N# A5 j6 d# l
关于ro,在高阶模型里面LAMBDA就很难手算出来了,可以通过跑传输曲线看出个大概
3#
發表於 2009-10-10 11:55:12 | 只看該作者
Cox其實製程文件裡面會寫
7 R; I* N1 ]7 f6 S1 f3 N也可以跑模擬看出 比如說跑個 1/1的mos
, Q- {( f& {5 k  k1 \spice檔加 .option captab
. d/ q4 P9 G1 P看lis檔就會有電容大小 cgtotal9 `5 e* M6 t! A+ e
除以面積就是單位電容3 C! s/ }7 d2 y6 Y& k. P$ e1 L
不過電容跟厚度有很直接關係
" ^! W/ V2 T' f9 F. [4 w& u8 W類比工程師也需要有個概念
: m4 J* B, v6 ~gate oxide 90A 1x1um大概3fF" U6 y" _6 e! N2 W$ y! X9 D
70A的接近5fF以此類推
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