sdram控制器的問題

ian77316

板上的各位前輩好..
2 `5 i5 ~0 }6 L1 {. }
. }, a4 H4 N) X% E我現在在設計一個sdram的控制器，我根據著datasheet去設計。
也把他的流程圖都畫出來了

但是現在有一個問題困擾我很久，我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
4 Q# z: V0 F% h) q: ?0 D, W& g1 B舉個例來說
3 j1 e! n7 |& ~HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
% c9 {2 \: q9 T7 b6 ]正確的結果應該是讀出(1,2,3,4)，但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
四筆讀出的資料都是第一筆，不知道是發生了什麼問題????
6 F$ b5 E. }, W+ ?$ w) k5 N不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
2 T7 m- }( b  T& W9 J
我用的是Elpida（hitachi）生產的SDRAM
型號是HM5216165TT10H
( f' l) b' o* E) a" u
不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
能否提供給我一點意見去解決，我已經debug一星期了還是毫無頭緒....
: R7 h+ H1 U/ s) t7 X0 L+ t& U. k
+ _6 D8 i; o1 j0 F謝謝

ian77316

謝謝tommy123前輩，
- t9 q5 t7 x, Y8 Q% h                 後來我用波型和邏輯分析儀已經找到了錯誤，問題已經解決
6 c2 w& `# `. z6 o9 o9 k" ?. D                 似乎只是command沒有下在正確時間輸入正確
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                 很謝謝你的熱心幫助