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板上的各位前輩好..2 s# k3 o' T; q/ u$ D6 M
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我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。
* m4 y2 ?- j2 K( l8 h/ L4 d) S' f, U- [也把他的流程圖都畫出來了
1 K, v) W8 C4 r3 n) l8 M9 L) R8 N$ C5 @+ c1 k, j, i+ X& Q. m
但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
6 V6 A3 {) w- q只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題& ^5 H$ ]- k4 [- i' z7 m
舉個例來說- }3 _9 z5 ]8 k' Z3 B* S
HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
/ S! |1 T2 x- G% t9 P' |# m+ L正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1)) l. c- O+ p% w
四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????
0 T C' @. s+ r! J不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?8 w* w0 d7 C7 x; ~2 |
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
1 f2 X' D4 L6 X! l G* k9 @
6 _9 @. H+ z4 L1 V3 a2 G我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM # n9 v$ U, c( o z/ z
型號是HM5216165TT10H- I% d$ S# x# V% T Y) g1 u! z+ e6 {
J! b0 W" ]4 f* [! ]' g
不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?7 Y; w% \ |! f
能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....8 T% W+ \# k V& R
1 E3 T r) M6 H) x6 ?謝謝 |
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