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板上的各位前輩好..
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8 V$ N% c( D; Q& ?% V0 H我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。1 m5 W! o, _8 r9 f
也把他的流程圖都畫出來了2 G% [) W2 x+ y% o+ U# N+ N
9 g2 R3 [% C+ s' t但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
! w. e& T z& d# t只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
* F' I6 ~2 l( x舉個例來說" i& v5 X7 Z- K
HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料! j h2 i: ^: x! L% `7 k4 |" r, H+ v4 u
正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1). f# {2 q2 o- K f) \
四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????
# k' B$ X* ]% \% s$ V9 x+ c不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?* C9 \' @9 g; B
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
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) W; a9 M; f; R' A* l6 I我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM 7 e1 D7 V8 G6 r' D3 ~) i9 N8 t% p: o
型號是HM5216165TT10H" _4 X1 ]% S( N9 p% \( S3 o" Y7 Y
8 o; n4 p V, s* [0 ?不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?7 F0 E" A) A+ j I6 ?6 @
能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....; }# Q1 z: x: e9 W
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謝謝 |
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