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板上的各位前輩好..
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我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。
6 F/ g. _5 u# B I也把他的流程圖都畫出來了
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但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
6 f V) y/ L; W' {; n3 V只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題' k1 h5 U- I" C- H( `
舉個例來說8 ?- Z P3 r( [5 w7 Q, k. g% u5 n
HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料% E q1 y* a9 y6 T C/ w
正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
^$ @) T' ?/ O' G$ q四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????% S( B% h% P7 ^+ h+ D
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
' C* }8 ?* F7 K0 z3 m還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
! m, K* \1 V+ {4 X7 o1 D! t* [: p- b/ L5 z8 z
我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM
& ~8 [ E" o* W, m. T& e型號是HM5216165TT10H8 d7 D- J9 f7 s
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不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
8 n8 R( p% c: p能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....
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3 L. {4 v; _+ @8 ^: q) Q謝謝 |
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