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板上的各位前輩好..
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% B' g/ M5 l( R. D我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。' K! e( X. _+ e1 _4 P3 ` S; H s y
也把他的流程圖都畫出來了
4 \9 Q% ]8 b' n" f4 Y3 ^" F4 O0 K( ~1 k' z* Z. a* O) g0 n
但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作* D1 T0 v2 Q {( V) l# r5 c/ L
只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題8 ]. E6 ?4 j/ p$ v e1 [
舉個例來說$ j) Q! c. a V$ R( s$ w
HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
4 ?( t, x* V- F" D. B正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
$ X; A3 A5 C5 N四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????/ v1 f2 W$ Q& ~ D8 m$ p
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?5 K+ ?# S) J, O6 y% o* Z
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?8 \) U: Z0 A1 v% K& c0 ~% X
5 \( \' U! H t% W2 S) M
我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM 6 s* u+ {- r, J$ o, F- M9 j
型號是HM5216165TT10H+ Q J5 |. R1 X6 s8 e
* c& l @- \- e [
不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
. A' c) o$ N. i9 C9 H/ X能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....
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謝謝 |
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