sdram控制器的問題

ian77316

板上的各位前輩好..

我現在在設計一個sdram的控制器，我根據著datasheet去設計。
也把他的流程圖都畫出來了

但是現在有一個問題困擾我很久，我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
9 I! u: a8 [# F5 ^8 R9 Z4 c0 ^1 t只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
舉個例來說
) B: k# q1 V, G+ rHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
正確的結果應該是讀出(1,2,3,4)，但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
# o, @5 q, \3 c/ D. Q四筆讀出的資料都是第一筆，不知道是發生了什麼問題????
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?

% s# H5 i' F, w" T( P$ R( R我用的是Elpida（hitachi）生產的SDRAM
2 r% |  _' a- @; p: w% Z3 R$ A1 _5 x型號是HM5216165TT10H

1 m: M9 p8 ?9 a9 J/ b不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
能否提供給我一點意見去解決，我已經debug一星期了還是毫無頭緒....
* @" A2 o" L! a3 T# e! U) |
謝謝

ian77316

謝謝tommy123前輩，
; b5 `6 O5 m8 }( Z1 h6 \                 後來我用波型和邏輯分析儀已經找到了錯誤，問題已經解決
                 似乎只是command沒有下在正確時間輸入正確

# F4 {8 g0 R# F7 e- }* I0 y$ n& j                 很謝謝你的熱心幫助

tommy123

如果可以提供你的程式碼以及模擬片段，這樣比較容易幫你Check。