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板上的各位前輩好..# c4 B8 F I9 {) B8 y
; p9 H {9 c. ?2 m B5 H: Z# y我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。
2 ~' H5 r% E7 Q/ q- T也把他的流程圖都畫出來了
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但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
: g8 E' J* p1 t9 `! I只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
1 V! I' @9 O# N [8 i舉個例來說
5 [4 f5 S: g0 s) H7 v, ^HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料5 l9 z4 o7 g t# h7 B: ^
正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
3 v* ]- J8 U5 G2 ~+ g四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????
8 O% p7 ~2 F- N0 D9 J# Q# ?8 N. X不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
q% h: \, z- o還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?* U1 m' E9 c) [5 F, c4 \
, l5 U( ^, g6 C9 d$ _) O我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM ) T% l, B8 _2 f" h7 n; e* f& w
型號是HM5216165TT10H" \" I/ _0 @; \: m0 M3 }) x7 W! C
% z9 i8 x5 g" \( S$ ?% b
不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
8 w7 d4 V8 h* Z' q能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....' j2 B6 A6 V6 y
& ~) U6 ~ {# p謝謝 |
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