pad等效電路的萃取

familys123

我想萃取我自已畫的一個rf pad其等效對地的串聯電阻電容至rf電路中作模擬

但是由於是等效的關係，所以做lvs時無法認出
( ?2 L8 m1 f! ?! J- N
6 F) w- m* ~# X$ {7 Z& ~" L) @我想直接就做lpe但也是無法成功，作lpe也是要給定schematic的netlist

  I4 u+ r9 N, a3 l$ K% B: B. F所以lvs就沒過了，lpe理所當然也沒過

% F8 c0 {, X! r0 v: r& a, x& w% k, Q想請教有作過的大大們要如何作才能萃取得出來

dacainiao

在做LVS時，如果使用的是Calibre軟件，提取版圖網標時還會生成一個*.sp文件，查看sp文件中對PAD電路的描述部份，根據這個描述繪製原理圖，樂意通過LVS。但是你的保證你的PAD版圖沒有錯誤

gyamwoo

在此嘴炮一下，之前小弟想把一個pad的layout原封不動地用ads的momentum作電磁模擬，再用ads的spice model generator把電磁等效電路(含RLC)轉出來。
結果就是沒有處理過的PAD，電腦在模擬的階段因為莫名問題終止，一直不能做出其等效模型

z753951

直接用calibre PEX抽出來應該就ok了吧?
所生成的檔案裡面都有寫他的寄生效應!(電容電感等等...)

rice019

我以前在做電容式的指紋偵測也有類似的問題
我是改寫LVS的command file
% n: p( y* C0 V' ^8 J8 L  O. ~  H將寄生電容改寫成實際的元件
* S$ H  _" B  H" i8 n* Q- a( f舉例來說
M1 M2的寄生電容 一般的design fF級不care
9 X7 a# Q5 o$ c但是敏感的元件對寄生很care
, K3 `: a, J3 A6 }& s6 g. E* g這時候你改寫LVS command file 以M1 M2再加上自己定義的dummy層
M1+M2+dummy為一個實體元件
同理其他的寄生元件也可以寫成lvs元件
) t2 P3 b' C/ R; `' q6 b0 n寄生電容的大小可以自己計算或者查詢晶圓廠提供的 interconnection 相關的電容值
3 b. ~4 B9 i9 r& D7 L但是我建議自己計算 因為晶圓廠提供的資料有時候也是錯的
. a8 c  a( y, }( H自己驗證計算後比較保險些 oxide的介電係數約3.9 -4.1
9 k' l& d4 D' y厚度的資料可以在晶圓廠提供相關的資料中查到
$ V8 T, V5 S$ E$ j6 n- p- U# g+ V要注意0.5um以前的製程 並沒有做平坦化
所以你的電容算出來與實際並不會很準
( F, a; ~" P6 m  i6 E# G3 L修改command file是RD的本職學能之一
command file沒有的就自己加進去
軟體online document就有寫修改的語法
, \% f: m: J5 T3 C( w讀過之後你一定也會改的 加油